Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

Abstract

Results obtained in a study of the growth of InP/InAsP/InP nanowires on the Si (111) surface are presented. Using a special procedure of substrate preparation immediately before the growth made it possible to obtain a nanowire coherency with the substrate of nearly 100%. A high-intensity emission from nanostructures of this kind was observed at a wavelength of ~1.3 μm at room temperature.

Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs

“…[1]. Использование такого технологического метода синтеза ННК, как метод молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) [2,3], позволило воспроизводимо получать наноструктуры с комбинированной размерностью, например типа " квантовая точка (КТ) в ННК" [4][5][6][7]. В отличие от КТ, сформированных по механизму Странски−Крастанова [8], диаметр, высота и плотность таких КТ определяются диаметром ННК, временем роста и плотностью ННК соответственно.…”