Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge

Abstract

GaP/Si/Ge nanoheterostructures have been obtained using the method of pulsed laser deposition, and an energy band diagram of cascade solar cells based on these heterostructures were modeled. GaP and Ge nanolayers grown on Si substrates were studied by Raman spectroscopy and X-ray diffraction. Spectral dependences of the external quantum efficiency response of GaP/Si/Ge nanoheterostructures were determined.

Высокочастотный Магнетотранспорт В Тонком Металлическом Слое С Варьируемыми Коэффициентами Зеркальности Границ

“…Исследования электрических, оптических и гальваномагнитных свойств тонких проводящих слоев связаны прежде всего с бурным развитием микро-, нано-и оптоэлектроники в последние десятилетия. Тонкие слои используются как основа всех полупроводниковых приборов и интегральных схем, применяются для создания многослойных солнечных элементов, в настоящее время ведутся активные разработки и исследования по увеличению их КПД и энергоэффективности [1][2][3][4][5]. Имеется немало работ, посвященных применению тонких слоев в фотонике и нанофотонике [6,7], СВЧ-электронике [8,9] и т. д.…”