Исследование Характеристик Гетеропереходных Солнечных Элементов На Основе Тонких Пластин Монокристаллического Кремния

Abstract

The operating characteristics of heterojunction solar cells based on single-crystal silicon wafers with a reduced thickness are investigated experimentally. It is found that a decrease in the wafer thickness by 40% as compared to the standard values leads to degradation of the photoelectric-conversion efficiency to 5%. The obtained results could be used for estimating the commercial feasibility of the production of solar cells with a reduced wafer thickness.

Влияние Параметров Кристаллической Подложки На Максимальную Мощность Кремниевых Гетеропереходных Солнечных Элементов

“…Толщина подложки d может меняться в пределах 90−170 µm. Экспериментально установлено, что величина этого параметра слабо влияет на рабочие характеристики HIT-элементов [2,3]: при уменьшении d на 40% потери выходной мощности не превышают 5%. В настоящее время при производстве фотоэлектрических преобразователей данного типа, как правило, используют подложки толщиной 150−170 µm.…”