Исследование процессов отжига слаболегированных слоев n-4Н-SiC после облучения быстрыми электронами / Корольков O.М., Козловский В.В., Лебедев A.А., Слепчук Н., Toompuu J., Стрельчук А.М.
Abstract:Инженерия радиационных дефектов Radiation Defect Engineering (RDE) находит все более
широкое применение в приборной технологии, в частности для компенсации примесной
проводимости и создания высокоомных областей в полупроводниковых структурах [1]. Ранее нами
была показана возможность создания в n-SiC с концентрацией доноров (4-6) 1015 см-3 высокоомных
слоев с помощью облучения высокоэнергетическими электронами [2, 3]. За компенсацию донорной
проводимости ответственны ловушки Z1/Z2 и EH6/7, закрепляющие положени… Show more
Set email alert for when this publication receives citations?
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.