Исследование Подвижности Носителей Заряда В Слоях Нанокристаллов PBS Методом Полевого Транзистора

Abstract

The field-effect transistor method is used to study the mobility of charge carriers in layers of lead sulfide nanocrystals with ligands of tetrabutylammonium iodide and 1,2-ethanedithiol used to create solar cells. The difference between the operating of a transistor in ambient air and in an inert atmosphere is demonstrated. It is shown that, in the ambient air, the processes of charging nanocrystals are activated when current flows, and the influence of the polarization of the interface of nanocrystals and the insulator on the measurement of the mobility is analyzed. Different reactions of the layers with ligands to light have been demonstrated, showing a significant oxidation of the surface of nanocrystals treated with 1,2-ethanedithiol.

Измерение Подвижности Носителей Заряда В Образцах С Низкой Проводимостью Методом Полевого Транзистора С Использованием Стоковых Характеристик

“…В работе по исследованию подвижности зарядов в пленках НК PbSe диаметром 6 nm [8] показано, что измерение силы тока возможно в течение периода менее 500 ms, пока экранирующие заряды не успевают скопиться с канале. Недавно нами было показано, что схожий эффект наблюдается в тонких пленках НК PbS с лигандной оболочкой EDT [3].…”

“…где W -ширина канала, L -длина канала, C oxемкость слоя изолятора на единицу площади (oxide capacitance), µ -подвижность. Метод измерений подробно изложена в работах [2,3]. Кроме того, структура полевого транзистора используется в сенсорах, где реакция материала канала (например, графена) с аналитом приводит к изменению реакции транзистора на напряжение затвора [4].…”

“…Поликристаллические пленки MAPbI 3 (толщиной 300 nm) были получены методом кристаллизации антирастворителем с последующим термическим отжигом[16]. Вольтамперные кривые получены с помощью пикоамперметра Keithley 2636b.Использованные в настоящей работе кремниевые подложки (Ossila Prefabricated OFET Test Chips, Low-Density) для транзисторов со структурой " bottom-gate", а также процедура силанизации с помощью гексаметилдисилазана (HMDS) описаны в работе[3]. Для изготовления " top-gate" структуры мы использовали стеклянную подложку Ossila с предварительно нанесенными электродами из ITO (ITO Glass Substrates, 20 × 15 mm, OFET and Sensing).…”