Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Abstract

При исследовании полученных методом газофазной эпитаксии гетероструктур InAsxPySb1-x-y/InAs (x>0.55) для рассогласованных с подложкой образцов методом вторичной ионной масс-спектрометрии выявлено заметное и протяженное (~800 nm) изменение содержания As и P (y до 0.12) по толщине слоя, носящее экспоненциальный характер. Рассчитанное по измеренному распределению компонентов As и P несоответствие параметров решеток было максимальным на границе эпитаксиального слоя с подложкой и уменьшалось по мере удаления от гетероинтерфейса в глубь эпитаксиального слоя. DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45085.16810

Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии

“…Обобщая данные [5][6][7][8] и настоящей работы, можно сделать вывод, что изменение состава по толщине эпитаксиального слоя возможно во всех твердых растворах, в которые входит более одного химического элемента пятой группы. Данные выводы согласуются с упомянутыми в литературе явлениями неоднородного распределения элементов пятой группы по площади эпитаксиальной структуры [2,4].…”