Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания

Abstract

Поступила в Редакцию 16 декабря 2019 г. В окончательной редакции 24 декбаря 2019 г. Принята к публикации 24 декабря 2019 г.Методом спектроскопии электропропускания исследованы внутренние электрические поля светодиодных гетероструктур зелeного свечения на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям в активной области. Проведено отнесение частот наблюдаемых спектральных линий с возможными типами межзонных переходов. Обнаружено увеличение числа межзонных переходов типа " квантовая яма−квантовый барьер" по мере увеличения числа квантовых ям, что объясняется неодинаковой степенью сегрегации атомов In в разные барьерные слои GaN. С помощью серии спектров электропропускания при разном смещении p−n-перехода рассчитана напряжeнность внутренних электрических полей в квантовых ямах. Обнаружено, что с ростом числа квантовых ям напряжeнность внутреннего пьезоэлектрического поля уменьшается с 3.20 до 2.82 МВ/см. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, модуляционная спектроскопия, квантовая яма, нитрид галлия.