Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/por-Si/p-Si

Abstract

Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики, а также спектр фотоэдс полупроводниковой гетероструктуры CdS/ por-Si/ p-Si. Установлено, что механизмы токопрохождения определяются генерационно-рекомбинационными процессами в области пространственного заряда гетероперехода por-Si/ p-Si, туннелированием носителей заряда в пленке por-Si и моделью токов, ограниченных пространственным зарядом. Предложен упрощенный вариант зонной диаграммы исследуемой гетероструктуры.

Исследование явления токопрохождения в кристаллах EuGa-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-4-=/SUB=-:Er-=SUP=-3+-=/SUP=-

“…1, а приведена статическая ВАХ исследуемого кристалла EuGa 2 S 4 :Er 3+ при комнатной температуре. На ВАХ выделяются следующие участки: омический, имеющий место до напряжения ∼ 800 V, нелинейный участок в области 800−1150 V и далее участок резкого роста тока, заканчивающийся пробоем материала при ∼ 1300 V. Токопрохождение в полупроводниках в нелинейной области ВАХ можно объяснить инжекцией носителей заряда из металлических электродов в полупроводник при относительно малых электрических полях, а при высоких полях -полевой ионизацией примесных центров захвата или одновременно инжекцией и полевой ионизацией [8].…”