Исследование мемристорного эффекта в нанокристаллических пленках ZnO

Abstract

Представлены результаты экспериментальных исследований мемристорного эффекта и влияния режимов отжига на электрофизические свойства нанокристаллических пленок оксида цинка, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Показана возможность получения нанокристаллических пленок оксида цинка методом импульсного лазерного осаждения в широком диапазоне электрических (удельное сопротивление от 1.44 · 10 −5 до 8.06 · 10 −1 Ом · см) и морфологических (шероховатость от 0.43 ± 0.32 до 6.36 ± 0.38 нм) параметров, за счет использования послеростового отжига в атмосфере кислорода (давление 10 −1 и 10 −3 Торр, температура 300 и 800 • C, длительность от 1 до 10 ч). Показано, что нанокристаллическая пленка оксида цинка толщиной 58 ± 2 нм проявляет стабильный мемристорный эффект, слабозависящий от ее морфологии -приложение напряжения −2.5 и +4 В приводит к переключению между состояниями с сопротивлением 3.3 ± 1.1 · 10 9 и 8.1 ± 3.4 · 10 7 Ом соответственно. Полученные результаты могут быть использованы при разработке конструкций и технологических процессов изготовления элементов резистивной памяти на основе мемристорного эффекта, а также приборов опто-, микро-, наноэлектроники и наносистемной техники.