Использование Сверхвысокоомных Эпитаксиальных Структур Кремния Диаметром До 150 Мм Для Роста Ga(al) N-Соединений Методом Могфэ

Abstract

Показаны актуальные результаты разработки отечественной технологии выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN) на сверхвысокоомных эпитаксиальных структурах кремния диаметром 150 мм. Получены структуры Ga(Al)N/Si диаметром до 150 мм с подвижностью электронов в 2DEG более 1500 см2В-1с-1, изготовлены тестовые транзисторы GaN HEMT с напряжением отсечки порядка -6,5 В, максимальным током стока насыщения 570 мА/мм, крутизной транзисторов не менее 112 мСм/мм и пробивным напряжением около 200 В.