Знакопеременное Магнетосопротивление И Температурная Зависимость Электропроводности Монокристаллов Твердых Растворов Арсенида Кадмия

Abstract

Модифицированным методом Бриджмена выращен монокристалл твердого раствора (Cd0.5 Zn0.5)3As2. Измерена холловская подвижность и концентрация носителей заряда. Исследована зависимость электропроводности и магнетосопротивления в диапазоне от 10 до 300 К. Обнаружено, что в системе (Cd0.5 Zn0.5)3As2, демонстрирующей механизм прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка типа Мотта, проявляется отрицательное магнетосопротивление в широком температурном диапазоне в ортогональном магнитном поле 1 Тл. Определены радиус локализации носителей заряда a = 262 ˚A, ширина мягкой параболической щели Δ = 0.259 мэВ.