Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

Abstract

Проведены исследования межзонной фотопроводимости и фотолюминесценции в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, дизайн которых предназначен для получения длинноволнового стимулированного излучения в условиях оптической накачки. В структурах n-типа времена релаксации фотопроводимости достигают нескольких микросекунд, что позволяет наблюдать стимулированное излучение на длине волны 10.2 мкм с низкой пороговой интенсивностью накачки ~100 Вт/см2 при 20 K. В структурах p-типа, полученных отжигом для увеличения концентрации вакансий ртути, из-за резкого уменьшения времени жизни относительно безызлучательной рекомбинации Шокли-Рида-Холла не удается наблюдать даже спонтанное излучение из квантовых ям.

Фотостимуляция Проводимости И Электронные Свойства Автоэмиссионных Наноуглеродных Покрытий На Кремнии

“…Естественное объяснение такого явления может состоять в том, что в темновом режиме проводимость образца недостаточна для работы микро-скопа, но при этом он обладает выраженным свойством фотопроводимости. Поскольку секундные значения вре-мени релаксации нетипичны для фотопроводимости ле-гированного кремния (скорее, следовало бы ожидать времен масштаба десятков наносекунд [37]), можно связать наблюдаемое явление с присутствием покрытия и рассчитывать на получение дополнительной информа-ции об особенностях его электронной структуры путем исследования характеристик фотопроводимости.…”