Динамический сдвиг линий ЯМР в наноструктурированном расплаве Ga-In-Sn

Abstract

Проведены измерения спектра ЯМР и восстановления продольной ядерной намагниченности после инвертирующего импульса для изотопов 69 Ga и 71 Ga в жидком эвтектическом сплаве Ga−In−Sn, внедренном в пористые стекла с размером пор 25 и 7 nm в сравнении с объемным расплавом в полях 9.4, 11.7 и 17.6 T. Обнаружено различие формы и положения линий ЯМР в различных полях и для разных изотопов галлия в расплаве, внедренном в пористое стекло с размером пор 7 nm. Полученные в этом образце данные интерпретированы на основе теоретической модели динамического квадрупольного сдвига, в рамках которой найдено время корреляции атомного движения. Показана согласованность характеристик атомного движения, рассчитанных на основе модели динамического сдвига и на основе измерений спиновой релаксации.Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 16-57-52009). Измерения частично проводились в Ресурсном центре " Центр диагностики функциональных материалов для медицины, фармакологии и наноэлектроники" Санкт-Петербургского государственного университета.

Атомная подвижность в кристаллической фазе наноструктурированного сплава Ga-In со структурой β-Ga

“…Наноструктурирование может приводить к значительному изменению различных характеристик металлов и сплавов, в том числе, к замедлению атомной подвижности в металлических расплавах [5][6][7][8], к структурным изменениям в жидких металлах и сплавах (фазовому переходу жидкость-жидкость) [9][10][11], смещениям линий солидуса и ликвидуса [9,12], размерным эффектам в сверхтонком электрон-ядерном взаимодействии [13][14]. Для наноструктурированного чистого галлия, склонного к полиморфизму в объеме, наблюдалось образование новых кристаллических модификаций и стабилизация фаз, метастабильных в объеме [15][16][17].…”