2002
DOI: 10.14498/vsgtu109
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Деформационные Эффекты В Эпитаксиальных Феррошпинелях

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3

Citation Types

0
0
0
5

Year Published

2004
2004
2011
2011

Publication Types

Select...
3

Relationship

3
0

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(5 citation statements)
references
References 4 publications
0
0
0
5
Order By: Relevance
“…Пластическая деформация эпитаксиальных феррошпинелей. В процессе синтеза магниймарганцевых феррошпинелей на (001) плоскости окиси магния и последующего охлаждения релаксация напряжений осуществляется различными способами: упругой релаксации (упругий изгиб, тетрагональные искажения), образованием дислокаций несоответствия, изменением состава переходной области, образованием дислокационных скоплений различной конфигурации, малоугловых границ по мере роста пленки [19,[20][21][22][23][25][26][27]38,[60][61][62][63][64]. В пленках FeFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , Li 0,5 Fe 2,5 O 4 реализуются условия для релаксации напряжения несоответствия за счет возникновения дефектов упаковки, частичных дислокаций, двойникования [26,65].…”
Section: механизмы релаксации напряжений и дефектообразования при гетunclassified
See 2 more Smart Citations
“…Пластическая деформация эпитаксиальных феррошпинелей. В процессе синтеза магниймарганцевых феррошпинелей на (001) плоскости окиси магния и последующего охлаждения релаксация напряжений осуществляется различными способами: упругой релаксации (упругий изгиб, тетрагональные искажения), образованием дислокаций несоответствия, изменением состава переходной области, образованием дислокационных скоплений различной конфигурации, малоугловых границ по мере роста пленки [19,[20][21][22][23][25][26][27]38,[60][61][62][63][64]. В пленках FeFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , Li 0,5 Fe 2,5 O 4 реализуются условия для релаксации напряжения несоответствия за счет возникновения дефектов упаковки, частичных дислокаций, двойникования [26,65].…”
Section: механизмы релаксации напряжений и дефектообразования при гетunclassified
“…По данным расчета из трехмерной модели роста эпитаксиальных феррошпинелей угол разориентации блоков для пленок MnFe 2 O 4 q~24', для Mg 0,6 Mn 0,4 Fe 2 O 4 -~11' [27], что удовлетворительно согласуется с данными работы [19]. Таблица 12 Параметры блоков и пороговые напряжения для пленок феррошпинелей При деформации методом четырехточечного изгиба в режиме медленного нагружения (6-9 часов) при комнатной температуре для состава Mg 0,8 Mn 0,4 Fe 2 O 4 обнаружено (методом избирательного травления) изменение структуры границ блоков [64].…”
Section: механизмы релаксации напряжений и дефектообразования при гетunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Дислокационная структура выявлялась методом химического травления в кипящем растворе HCl/H 2 O ≈ 1/1. Внутренние напряжения оценивались по термическим на-пряжениям, возникших после охлаждения плёнки от температуры синтеза, с учётом соотношений толщины плёнки и подложки [9,10]. Намагниченность насыщения измерялась с помощью магнитометра.…”
unclassified
“…Результаты эксперимента и их обсуждение. Результирующая дислока-ционная структура эпитаксиальных феррошпинелей существенно зависит от скорости, от температуры синтеза и скорости охлаждения по окончании про-цесса наращивания [5,10]. Это означает, что термические напряжения, возни-кающие в гетероструктуре феррит-оксид магния в процессе их охлаждения, также могут релаксировать с образованием дислокаций и перестройкой дис-локационных ансамблей.…”
unclassified