Гетероэпитаксиальные структуры InAs-=SUB=-1-x-=/SUB=-Sb-=SUB=-x-=/SUB=- на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb

Abstract

Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs 1−x Sbx (x = 0.43 и 0.38) методом молеку-лярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рент-геновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs 1−x Sbx .