Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si

Abstract

Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5−80 K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое-тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек.