Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In-=SUB=-0.38-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.62-=/SUB=-As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем

Abstract

Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In 0.38 Ga 0.62 As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет ∼ 10 −5 при достаточно малом оптическом флюенсе ∼ 40 мкДж/см 2 , что почти на два порядка выше, чем в " низкотемператур-ном" GaAs.

Терагерцевая генерация в эпитаксиальных пленках InAs

“…Он используется в качестве когерентного эмиттера для THz-спектрометра с временн ым разрешением многими научными группами [2][3][4]. Для получения высоких значений подвижности носителей заряда в полупроводнике, которая определяет эффективность THz-генерации, используются эпитаксиальные слои InAs [4] и InGaAs [5,6], получаемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на полупроводниковых подложках. В качестве подложек в основном используются высокоомные полупроводники GaAs и InAs.…”