Влияние электрического поля на движущийся экситон в GaAs

Логинов, Д.К.; Белов, П.А.; Герловин, И.Я.; Игнатьев, И.В.

doi:10.21883/ftp.2021.09.51294.24

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Introduction1

Citation Types

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Year Published

2022

Publication Types

Select...

Article1

Relationship

Self Cite1

Independent0

Authors

Journals

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 29 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В работе [46] анализировалось влияние электрического поля на светоэкситонное взаимодействие в широкой КЯ. Работы [47][48][49] посвящены исследованию эффекта инверсии фазы спектральных осцилляций экситона в широкой КЯ под действием электрического поля.…”

Section: Introductionunclassified

Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs

Логинов¹,

Донец²

2022

Физика Твердого Тела

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The dependence of the energy of the relative electron-hole motion in an exciton on the magnitude of applied electric field for various thicknesses of an ideal flat semiconductor plate is theoretically calculated. It is shown that the variation of the plate thickness significantly affects the dependence of the energy on the electric field. The effect should be observed in plates whose thickness exceeds the Bohr exciton radius by two orders of magnitude.

show abstract