Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона

Abstract

The results of experimental studies of capacitance– voltage characteristics, spectra of deep-level transient spectroscopy of graded high-voltage GaAs p+−p0−i−n0 diodes fabricated by liquid-phase epitaxy at a crystallization temperature of 900C from one solution–melt due to autodoping with background impurities, in a hydrogen or argon ambient, before and after irradiation with neutrons. After neutron irradiation, deep-level transient spectroscopy spectra revealed wide zones of defect clusters with acceptor-like negatively charged traps in the n0-layer, which arise as a result of electron emission from states located above the middle of the band gap. It was found that the differences in capacitance–voltage characteristics of the structures grown in hydrogen or argon ambient after irradiation are due to different doses of irradiation of GaAs p+−p0−i−n0 structures and different degrees of compensation of shallow donor impurities by deep traps in the layers.

Luminance Distribution Visualization Across the Twilight Sky

“…Координата цвета Y базовой колориметрической системы XYZ, в моделях цветовосприятия является относительной яркостью [2], а остальные могут быть восстановлены на основе спектрального состава излучения. При допущении независимости длин волн для восстановления картины полного спектрального состава распределения можно использовать модель переноса излучения [3]. Для ускорения расчёта распределение координаты Y может быть получено сразу на основе световой яркости, после расчёта модели переноса излучения, а остальные координаты восстановлены на базе известного относительного спектрального распределения.…”