2020
DOI: 10.21883/ftp.2020.11.50095.9416
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Влияние Морфологии Поверхности Микрополосковой Линии СВЧ На Ее Передаточные Характеристики

Abstract: Определены основные морфологические параметры 50-омных Au/i-GaAs\100\ тонкопленочных микрополосковых золотых СВЧ копланарных линий передач длиной lW, влияющие на активное сопротивление их скин-слоя R и индуктивность L. Получено, что латеральный характер распределения зерен и развитый рельеф их поверхностей приводит к возникновению дополнительных процессов рассеяния электронов как на границах зерен, так и на неоднородностях рельефа. Малый размер зерен, dx<133 нм, на частотах f>10 ГГц переводит ано… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2022
2022
2022
2022

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(1 citation statement)
references
References 8 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…В работе [8], представленной коллективом авторов из НИИ «Полупроводниковых приборов» (г. Томск), исследовались частотные зависимости минимальных значений коэффициента шума, шумового сопротивления и малосигнального коэффициента усиления по мощности гетероэпитаксиальных HEMT-транзисторов на полуизолирующей подложке из карбида кремния (SiC). Результаты исследований шумовых характеристик 5-ваттных AlGaN / GaN HEMT-транзисторов с Z-затвором Шоттки в частотном диапазоне 1-9 ГГц позволили определить малошумящие режимы работы транзистора [8], а также объяснить аномальное поведение частотной зависимости коэффициента шума, которое заключается в частотной зависимости дополнительного сопротивления, вносимого инжектированными в буферный слой 2D-электронами [8].…”
unclassified
“…В работе [8], представленной коллективом авторов из НИИ «Полупроводниковых приборов» (г. Томск), исследовались частотные зависимости минимальных значений коэффициента шума, шумового сопротивления и малосигнального коэффициента усиления по мощности гетероэпитаксиальных HEMT-транзисторов на полуизолирующей подложке из карбида кремния (SiC). Результаты исследований шумовых характеристик 5-ваттных AlGaN / GaN HEMT-транзисторов с Z-затвором Шоттки в частотном диапазоне 1-9 ГГц позволили определить малошумящие режимы работы транзистора [8], а также объяснить аномальное поведение частотной зависимости коэффициента шума, которое заключается в частотной зависимости дополнительного сопротивления, вносимого инжектированными в буферный слой 2D-электронами [8].…”
unclassified