ВЛИЯНИЕ ИОНИЗОВАННЫХ ПРИМЕСЕЙ И МИКРОТРУБОК НА ВАХ p-n-4Н-SiC-ПЕРЕХОДА

Abstract

Исследовано влияние ионизованных примесей и микротрубок на напряжение обратного пробоя p-n-перехода на основе 4Н-SiC, полученного методом низкотемпературной диффузии. Показано, что, пользуясь уравнением для напряжений пробоя в зависимости от соотношения пробивных напряжений ВАХ p-n-перехода, можно определить, насколько изменилась концентрация ионизированной примеси и дефектов после травления кристалла и после его отжига.