Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Abstract

В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбуждения люминесценции. Сравнение результатов, полученных при фото- и электролюминесценции, показало, что в области высокой плотности тока наблюдаются дополнительные низкотемпературные потери (дополнительные к потерям, связанным с оже-рекомбинацией). Это обусловливает инверсию температурной зависимости квантового выхода при температурах меньше 220-300 K. В результате анализа установлено, что потери связаны с утечкой электронов из активной области светодиода. Для объяснения экспериментальных данных привлечена модель баллистической утечки. Результаты моделирования качественно согласуются с экспериментальными зависимостями квантового выхода от температуры и плотности тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44112.8251

Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

“…DOI: 10.21883/PJTF.2018.04. 45637.17076 Твердые растворы In x Ga 1−x N являются перспективными материала-ми для множества приложений в опто-и микроэлектронике [1][2][3][4][5]. Одно из препятствий на пути их реализации -сложность роста соединений с высоким содержанием In (x > 0.4), которые представляют собой метастабильные композитные материалы, содержащие кластеры метал-лического In и полупроводниковую матрицу InGaN [6][7][8].…”