Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди

Abstract

В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кри-сталлической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365−370 нм барьерная гетерострук-тура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление Rsh · Sc = 879 Ом · см 2 , последовательное сопротивление Rs · Sc = 8.5 Ом · см 2 , коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера p−n-перехода = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода η = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 < U < 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения J 0 составили 6.4 · 10 −6 мА · см −2 для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7 · 10 −3 мА · см −2 для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.