Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной d-оболочкой О б з о р

Abstract

Приводится феноменологическая модель двойных акцепторов, создаваемых атомами Cu, Ag и Au в GaAs. Описаны экспериментально наблюдавшиеся явления, связанные с особенностями пространственного и электронного строения этих центров (подавление эффекта Яна--Теллера одноосным давлением, размягчение кристалла, рекомбинационно-стимулированная переориентация ян-теллеровских дисторсий центра, уменьшение стационарной степени выстраивания дисторсий центра при одноосном давлении с увеличением скорости рекомбинации через центр неравновесных электронно-дырочных пар, релаксационное поглощение ультразвука и др.). DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45008.8572

Комплексы вакансия галлия --- мелкий донор в n-GaAs, легированном элементами VI группы Te или S (О б з о р)

“…(При равновероятном распределении дополнительных дефектов каждого типа по возможным местам все конфигурации центров второго типа равновероятны и при P = 0 излучение совокупности центров второго типа также не поляризовано). Другими причинами изменения r * при высоких давлениях могут быть изменения с давлением вероятности выстраивания комплексов второго типа в процессе рекомбинации [39]. В обоих случаях экстраполяция зависимости r * = f (P) при относительно высоких давлениях к P = 0 дает оценку величин r * , определяемую относительным числом дефектов, способных в условиях эксперимента переориентироваться в отсутствии внешней нагрузки.…”

Влияние Спин-Орбитального Взаимодействия И Деформационного Поля На D-Состояния Глубоких Центров В Полупроводниках

“…Атомы, имеющие незаполненную d-оболочку, или, у которых электроны заполненной d-оболочки могут покидать ее для образования связей, приобретают в кристалле расщепления d-состояний. Это приводит к локальному понижению исходной симметрии кристалла и к анизотропии примесного комплекса [3,4]. В работе рассматривается влияние кристаллического поля и спин-орбитального взаимодействия на электронное строение dсостояния примесного центра в кубическом кристалле полупроводника и дальнейшее расщепление уровней в поле деформации.…”