Аморфизация Кремниевых Нанонитей При Облучении Ионами Аргона

Abstract

The irradiation of silicon nanowires with Ar+ ions with an energy of 250 keV and fluences from 1013 cm^-2 to 10^16 cm^-2 was carried out. The dependence of the destruction of the structure under the action of ion irradiation on the fluence is investigated by the Raman spectroscopy. It is shown that the amorphization of porous silicon occurs at higher dpa values than in thin silicon thin films.

Синтез Массивов Наноструктурированных Пористых Кремниевых Стержней В Кремнии Электронного Типа Электропроводности С Кристаллографической Ориентацией (111)

“…Также можно отметить присутствие аморфной фазы при 610 cm −1 [55,56] и оксидной фазы, о чем свидетельствует возникновение полосы около 432 cm −1 , связанной с колебаниями межтетраэдрической связи Si−O−Si [52,55,56]. Уширение спектральной линии в области 520 cm −1 для НПКС объясняется эффектом пространственного ограничения фононов, проявляющимся в результате реакции диспропорционирования и выпадения кремния в форме наноразмерных кристаллитов [52,[57][58][59][60].…”