Zur Struktur amorpher metallischer Schichten des Systems Germanium—Kupfer

Abstract

Amorphe Filme von Ge, Ge + 23 At% Cu und Ge + 40 At% Cu werden durch abschreckende Kondensation hergestellt. Elektronenbeugungsdiagramme dieser Filme werden in situ unmittelbar nach der abschreckenden Kondensation und nach dem Tempern aufgenommen. Die daraus erhaltenen Interferenzfunktionen können zumindest qualitativ mit Hilfe von Mikrokristallmodellen verstanden werden. Dabei müssen Mikrokristalle des Diamantgitters, einer primitiv‐kubischen Nahordnung und einer hexagonalen Struktur zugrunde gelegt werden. Der mit wachsendem Cu‐Gehalt zunehmende metallische Charakter der Filme kann aus diesen Modellen mit der Abnahme der kovalenten Bindungsanteile erklärt werden.

Short‐Range Order Modelling and Bonding in Metal–a‐Ge Systems

“…The interference function F ( k ) calculated for the initial model (Fig. 2a) shows only a general, but rather poor in the details, agreement with the experimental P ( k ) reported in [7] for a Cuo.23(a-Ge)o.,? alloy.…”

“…2d) with the experimental data in [7], obtained on films deposited a t 4.2 K and annealed at 350 K. The relative heights of the F ( k ) maxima are particularly well reproduced. Thus, this relaxation procedure seems to work satisfactorily up to higher metal contents, where the structure becomes more like a dense random packing of atoms, with the condition of choosing adequate interaction parameters.…”

“…The F ( k ) of the relaxed model (Fig. 2b) offers an improved agreement with the experiment in [7] as compared to the unrelaxed one, by the smearing of the supplementary peaks a t k = 2.6 and 6.6 A-l. However, the position of the peak a t k = 3.2 A-l is not satisfactorily accounted for, even for changes in the ratio ASIAB of the stretching to angular force constants as large as 5 to 10 times.…”

“…a . FcU-cU, ----F(k) for a-Ge [7] ference peaks: -F Q~-G~, __--FGe-Cu. a t 4.2 K and annealed a t 320 K (Fig.…”