Zum Einfluß von Kristalldefekten auf das Sperrverhalten von n⁺pp⁺‐Anordnungen aus Silicium

Abstract

Elektrische und metallografische Untrrsuchiingrn voii Silicium-ii+pp+-Aiiordiiiiiigeii crgaben Zusammenhiinge zwischen den Sperrchmakteristiken dieser Dioden und grohen Kristallstorungen. Diese Kristallstorungcn habeii die Form von Rissen. Die Risse bewirken eine Zunahme der Spemtromo und einc Abnahme der Spermpannurigen tier ii+pp+-Aiiordririiigeii. Mit grol3er Wahrscheirllichkeit werdcu die Kristallstorungen diirch thermische SPUIIniingen venmacht, die infolge dee Anliitcns von Koiitakteii entstehen. By electrical and metallographicnl invest igat.ions correlations between the revem characteristics of silicon n+pp+-strrictiii-m and C O I~~R Ccrystal defects are established. These crysttrl defects are designcd as cracks. Thc cracks aro catisilly an increave of reverse currents and a decressn of tho rovcIs0 voltages of the ii+pp+-strnctures.With p a t probability thew cryntnl clofects w e caiised by thermal stresses due to soldrriiig contach.