Züchtung von (Pb_1–xSn_x) Te durch Sublimationstechnik

Abstract

Im horizontalen Zweizonenwiderstandsofen wuchsen zwischen 750 und 720°C, einem ΔT von 15–10 grd zwischen Lösungs‐ und Wachstumsraum am Ende von evakuierten Quarzampullen nahezu ideal ausgebildete Kristalle. Bei Verwendung einer Heizzone wurden unter günstigen Bedingungen durch einen Quarzstab bzw. eine Quarzplatte als Keimzentrum gute Kristalle erhalten. — Es folgen Angaben zur Analytik der Züchtungsprodukte.