Zn‐Diffused p‐n Junction in the Quarternary  ( Al0.48In0.52As )  z  ( Ga0.47In0.53As ) 1 − z

Abstract

We report on Zn-diffusion in the A1GaInAs quaternary compounds using a semiclosed box technique. An interstitialsubstitutional mechanism is proposed to explain the electrical and atomic profiles. An increase of the diffusion coefficient with increasing A1 content of the layers is observed. C-V measurements at 1 MHz are consistent with an abrupt junction and a constant doping level in the epitaxial layers. The forward current of the diffused junction is exponentially dependent on the applied voltage over several decades of current with an ideality factor n between 1 and 2. The reverse leakage current results from bulk and surface generation-recombination current and tunneling current, as inferred from measurements at various temperatures.

Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD

“…Notre étude a porté sur une structure du type photodiode pin réalisée à partir d'une couche Ga0,47In0,53As non dopée, épitaxiée par EJM (épitaxie par jets moléculaires) en accord de maille sur InP n+ . La zone p+ est obtenue par diffusion de zinc dans le GaInAs suivant la technique de la boîte semi-fermée [1]. La structure finale est obtenue par gravure chimique du ternaire jusqu'à l'InP ( Fig.…”