“…2011 年, 爱尔兰布拉纳光电公司联合瑞士纽夏特大学 [38] 提出一种分离模式半导体激光器, 通过 在脊形波导上刻蚀多个深槽引入折射率微扰, 进而增强一个 F-P 模式, 损耗其他模式, 获得单纵模激 光输出, 实现激光波长 780 nm, 光谱线宽仅为 2 MHz. 在此基础上, 爱尔兰布拉纳光电公司和都柏 林城市大学 (Dublin City University) [39] 联合研制出一种宽工作温区的分离模式半导体激光器, 实现 在 0 • C < T < 85 • C 温度范围内保持单纵模工作, 激光线宽 < 250 kHz, SMSR 达 40 dB, 输出功率约 4 mW. 2018 年, 该公司 [40] 又报道了一种单片集成单模红光半导体激光器, 采用分离模式结构实现激 光波长 689 nm, 激光功率 10 mW, SMSR…”