What is the atomic structure at solid-state interfaces?

Abstract

Significant progress has been made towards our understanding of Schottky barriers, ohmic contacts to GaAs, and misfit dislocation generation at heteroepitaxial interfaces. These subjects are briefly reviewed in this paper. However, many of the remaining issues still hinge on a more detailed knowledge of the atomic structure at interfaces and its effect on electron transport. A new technique, ideal for this problem, entitled ballistic electron emission microscopy (BEEM) is described. In BEEM the spatial resolution of the scanning tunneling microscope is used to probe the local current transport at an interface.On a fait d'importants progrks dans la comprChension des barrikres Schottky, des contacts ohmiques avec GaAs et la generation de dislocation aux interfaces hitero-Cpitaxiales. Ces sujets sont rapidement passis en revue dans cet article. I1 y a cependant encore des problkmes non resolus qui requikrent une connaissance plus dCtaillCe de la structure atomique aux interfaces et de ses effets sur le transport Clectronique. On decrit une nouvelle technique, idkale pour cette etude, a laquelle on a donne le nom de microscopic par emission Clectronique balistique (MEEB). Cette technique utilise la resolution spatiale du microscope de balayage 5 effet tunnel pour sonder le transport de courant local a une interface.[Traduit par la redaction]Can.