Thin coatings of nickel are elect,roplated onto annea.led (0.2 mm grain size) copper substrates and annealed and shock-loaded copper subst.rates. The shock loading produces a sub-grain dislocation cell structure without distorting the grain boundaries. Selective chemical stripping produces thin nickel electrodeposits and thin nickel/copper composites which are observed by transmission elect.ron microscopy. Neither the grain boundaries nor the dislocation substructure of the copper subst,rates are observed to directly influence the nucleation and growth of the defect structure of the nickel overgrowths. Thin films of aluminum and copper with various grain sizes and dislocation structure are also prepared by vapor deposition onto (001) KaC1 crystals and when used as substrates t.o precipitate copper from an aqueous CuSO, solution by electrochemical displacement reactions, and t.he copper nuclei upon the substrate films viewed simultaneously in t.he transmission electron microscope, there is also no observable influence of either the emerging dislocations in the substrate film surface or the grain boundaries on the densit,y or disposit.ion of the copper nuclei. Finally, grain boundaries in the surface of tungsten emission and forms used as substrates for thc electroplating of nickel from a (NiSO,), . 6 H,O aqueous solution, and systematically examined by field evaporation of individual overgrowth atomic layers in the field-ion microscope also show that the grain boundary is not propagated directly into the overgrowth for any more than a few atom layers near the substrate. Dunne Kickelschichten werden auf getemperten (0,2 mm KorngroDe) Kupfersubstraten und getenipert)en und storjbelasteten Kupfersubstraten elektroplatiert'. StoDbelastung ruft eine Subkorn-Versetzungszellenstruktur hervor ohne Storung der Korngrenzen. Selektive chemische Abt,ragnng verursacht diinne Nickelelektroabscheidung und diinnere Nickel/Kupferschichten, die durch Transmissionselektronenmikroskopie beobachtet werden. Weder die Korngrenzen noch die Versetzungsstruktur der Kupfersubstrate beeinflussen die Keimbildiing und das Wachstum der Defektstrnktur der aufgewachsenen Nickelschicht direkt. Diinne Aluminium-und Kupferschichten mit verschiedenen Korngrorjen und Versetzungsstruktur werden ebenfalls durch Abscheidung aus der Dampfphase auf (OOl)-NaCl-Kristalle prapariert und, wenn sie als Substrate fur die Ausfallung von Kupfer aus wassriger CuS0,-Losung benutzt werden, durch elektrochemische Verlagerungsreaktionen, wobei die Kupferkeime auf den Substratschichten gleichzeitig im Transmissionselektronenmikroskop beobachtet werden; es wird kein beobachtbarer EinfluD weder der beteiligten Versetzungen in der Substratoberflache noch der Korngrenzen auf die Dichte oder Lage der Kupferkeime gefunden. Schlierjlich zeigen die Korngrenzen in der Oberflache von Wolframformen, die als Substrate fur die Elektrophtierung von Nickel aus einer (NiSO,), . 6 H,O-Losung benutzt und systematisch durch Feldabdampfung von individuell aufgewachsenen Atomlagen im Feldio...
