Variable‐range hopping conductance in Si whiskers

Abstract

Impedance spectroscopy studies for Si wires with dopant concentrations in the vicinity to metal–insulator transition in the low temperature range 4.2–70 K and frequencies 0.01–250 kHz have been conducted. The studies allowed us to determine the parameters of hopping conduction (localization radius, density of localized states, and average length of carrier hopping) in silicon whiskers and to compare them with theoretical data.

Magnetic Properties of Doped Si<B,Ni> Whiskers for Spintronics

“…As shown in Fig. 7,b, E hop is equal to 12 meV, that agrees with the previous results on Si whiskers doped with boron impurities [21]. In Nicatalyzed p-type Si NWs the correlated low-frequency noise spectroscopy has detected electrically active deep-levels with ionization energies 0.22 eV [30].…”

“…The presence of negative magnetoresistance can indicate that in this group of samples there are localized charge carriers at low temperatures. The negative magnetoresistance is likely related to conductivity on two occupied impurity states [21].…”

Використання Мікрокристалів Кремнію Легованих Бором Та Нікелем У Сенсорній Техніці

“…де е -заряд електрона; N(E F ) -густина станів на рівні Фермі; ν ф -фононна частота; σ, w, T -дані взято за результатами вимірювань на змінному струмі [19]; α -стала спаду хвильової функції локалізованого носія (розрахована на підставі вимірювань на постійному струмі [20]).…”

“…де g -g-фактор Ланде, що приблизно дорівнює 2,0 для кремнієвих кристалів [20]; µ B -магнетон Бора; N Ni -концентрація магнітних домішок. Враховуючи дані намагніченості мікрокристалів Si (рис.…”

Elements of solid state electronics based on soi-structures and si whiskers for cryogenic temperatures

“…3 диаграммы Найквиста для образцов с r 300Ê = 0,02 Ом•ñм óêàзыâàюò íà èíдóêòèâный характер сопротивления в интервале темïåðàòóð 10-40 Ê (ò. å. ïðîÿâëÿåòñÿ òàê íàзываемый характер «отрицательной» емкости, что наблюдалось ранее при исследованиях [9,10]). Эòî îбъÿñíÿåòñÿ, âåðîÿòíî, ïðîÿâëåнием поверхностной проводимости при протекании переменного тока через нитевидный кристалл, вследствие чего наблюдается отставание òîêà îòíîñèòåëьíî íàïðÿжåíèÿ [12]. Сëåдóåò отметить, что для таких образцов реактивная составляющая сопротивления имеет индуктивíыé õàðàêòåð è дîñòèãàåò íàèбîëьшåãî зíàчåíèÿ ïðè 30 Ê. С ïîâышåíèåм òåмïåðàòóðы òàкой характер Z'' ïðîÿâëÿåòñÿ â мåíьшåé ñòåïåíè.…”