Use of plasma polymerisation process for fabrication of bio-MEMS for micro-fluidic devices

Dhayal, Marshal; Jeong, Hyung Gon; Choi, Jin Hwan

doi:10.1016/j.apsusc.2005.03.198

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“…A formação de flúor em plasmas de SF 6 , assim como nos plasmas de CF 4 depende diretamente das colisões citadas acima.…”

Section: Formação De Flúor a Partir De Sfunclassified

“…Como já conhecido através da literatura, gases eletronegativos influenciam em plasmas do tipo ICP [27] , e como um dos gases operacionais é o SF 6 (muito eletronegativo), decidimos por fazer esses testes com oxigênio que não é tão eletronegativo quanto o SF 6 , para analisar o comportamento dos plasmas.…”

Section: Medidas Elétricasunclassified

“…Esse comportamento ocorre devido à dificuldade de acoplamento para plasmas de SF 6 quando aplicada potência no eletrodo. Geralmente a potência refletida nesses plasmas pode chegar a 20%, no entanto quando aplicamos potência na bobina, essa potência refletida no eletrodo diminui.…”

Section: Medidas Elétricasunclassified

“…Foram analisados plasmas de Argônio, por ser um gás inerte, oxigênio, por ser um pouco eletronegativo, SF 6 , por ser um gás muito eletronegativo e útil para a corrosão de silício, misturas de oxigênio e SF 6 com Ar, CF 4 e misturas de CF 4 com Ar.…”

Section: Introductionunclassified

“…Também estudamos dois materiais como material de eletrodo, estanho e alumínio e observamos que para o SF 6 há uma maior concentração de F com eletrodo de Sn enquanto para CF 4 a concentração de F e maior com eletrodo de Al. Figura 2: Potencial DC no plasma entre os dois eletrodos [12] .…”

Section: Introductionunclassified

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Plasmas fluorados com acoplamento indutivo.

Rodrigues¹

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AgradecimentosAo meu orientador Prof. Dr. Patrick, B. Verdonck, pela ajuda, orientação, discussões, amizade e companheirismo ao longo desse trabalho.Aos Professores. Ronaldo D. Mansano e Luiz Zambom, pelo auxilio, e discussões que tivemos durante o trabalho.A minha amiga Laura Swart, pela amizade, ajuda nesse trabalho.Aos técnicos, Nelson Ordonez, Alexandre Camponucci, Antônio Moreira, Adir Moreira e Renato Franzin, pelo auxilio e suporte dado ao trabalho.A minha namorada Adriana, pela paciência, compreensão, companheirismo e motivação.Ao amigos de laboratório, Acácio Siarkowski, Alexander Tressino, Rodrigo Amorin, Peter Polak, Michele Rodrgiues e Sara Elizabeth e Carolina Davanzzo por compartilharem meus problemas, pela amizade, e por todas as coisas que passamos juntos durante o trabalho. ResumoEste trabalho de mestrado tem o intuito de caracterizar plasmas do tipo indutivo (ICP) Para a caracterização do plasma, foram usadas técnicas de espectroscopia e medidas elétricas.Foram analisados plasmas de Argônio, por ser um gás inerte, oxigênio, por ser um pouco eletronegativo, SF 6 , por ser um gás muito eletronegativo e útil para a corrosão de silício, misturas de oxigênio e SF 6 com Ar, CF 4 e misturas de CF 4 com Ar.Observou-se que obtêm-se plasmas indutivamente acoplados quando se cria uma condição de concentração mínima de elétrons livres no plasma. Isso acontece quando há uma certa potência aplicada no eletrodo e outra potência aplicada na bobina. Quanto menos eletronegativo o gás, menores são estas potências. Nos casos estudados significa que é mais fácil obter acoplamento indutivo com Ar puro, depois com as misturas dos gases. Em nosso reator foi mais difícil conseguir obter plasmas indutivamente acoplados com O 2 e SF 6 puros, pois não tivemos condições de "hardware" para aplicar as potências altas as suficientes para criar o plasma indutivo.Também estudamos dois materiais como material de eletrodo, estanho e alumínio e observamos que para o SF 6 há uma maior concentração de F com eletrodo de Sn enquanto para CF 4 a concentração de F e maior com eletrodo de Al. AbstractIn this work, inductively coupled plasmas have been studied, using optical emission spectroscopy and electrical measurements. Four gases were analysed : argon, being an inert gas, oxygen because it is slightly electronegative, SF 6 because it is very eletronegative and also etches silicon and its compounds and CF 4 because it also etches silicon and its compounds and is slightly electronegative. Also the mixtures of oxygen, SF 6 , important to silicon etching and CF 4 with argon were studied.The studies indicated that it is necessary to have a minimum concentration of free electrons in the plasma to obtain an inductively coupled plasma. This depends very strongly on the power levels applied to the cathode and the coil of the reactor, The less electronegative the gas, the lower these power levels. Hence it was easiest to obtain argon inductively coupled plasmas, followed by the argon mixtures and with the pure gases it more difficult to obtai...

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“…A formação de flúor em plasmas de SF 6 , assim como nos plasmas de CF 4 depende diretamente das colisões citadas acima.…”

Section: Formação De Flúor a Partir De Sfunclassified

Section: Medidas Elétricasunclassified

Section: Introductionunclassified

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Plasmas fluorados com acoplamento indutivo.

Rodrigues¹

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Biointerface Coatings With Structural and Biochemical Properties Modifications of Biomaterials

Lee

Christy

et al. 2023

Adv Materials Inter

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fundamental properties from the physical perspective (e.g., surface roughness, hydrophobicity, elasticity, surface structure/ geometry, and mechanical strength) and the chemical perspective (e.g., bio and/or chemical functionality) can affect cellular responses, including cell attachment, proliferation, migration, differentiation, and apoptosis. [1][2][3][4] For instance, cells respond extensively to synthetic extracellular matrix (ECM) on substrates with multiple features, such as chemical composition, geometry and topological features, ligand organization, and substrate stiffness. [5][6][7][8]

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Use of different size grids to control the surface chemistry of plasma‐polymerized acrylic acid films in a hybrid discharge

Dhayal

2007

J of Applied Polymer Sci

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The surface chemistry of plasma-polymerized acrylic acid (ppAc) films were controlled in a twostage (primary and processing) hybrid radio frequency (RF) discharge by changing the grid wire spacing (d s ). Two regions were defined in terms of d s with respect to Debye length (l d ) in the primary chamber at the grid to control the electron temperature (T e ) and surface chemistry of the ppAc films deposited in the processing chamber. A higher T e (>3 eV) in the processing plasma was possible for d s > l d , whereas decreasing d s relative to l d reduced T e . X-ray photoelectron spectroscopy was used to characterize the ppAc films deposited on a glass substrate. The ppAc films

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