Ultrasonically Recovered Performance of $\gamma $-Irradiated Metal-Silicon Structures

Gorb, Alla; Korotchenkov, О. A.; Olikh, O. Ya.; Podolian, A.

doi:10.1109/tns.2010.2047655

Cited by 11 publications

(4 citation statements)

References 38 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…З іншого боку, останнім часом широка увага приділяється дослідженню можливості використання акустичних хвиль як інструменту активного впливу на дефекти у напівпроводниках. Зокрема, виявлено, що під дією ультразвуку (УЗ) в кремнієвих структурах може відбуватися відпал [7], перебудова [8][9][10] та дифузія [11] радіаційних дефектів. Причиною цих акустоіндукованих (АІ) ефектів є необоротня зміна дефектної підсистеми в результаті УЗ обробки.…”

Section: вступunclassified

Measuring Stand for Angle Turn Gauge Investigation on the Surface Acoustic Wave

Лепіх¹,

Снігур²,

Карпенко³

2013

SEMST

View full text Add to dashboard Cite

Представлені результати експериментального дослідження зворотніх вольтамперних характеристик структур Mo/n-n + -Si з бар'єром Шотки, опромінених γ-квантами 60 Со дозами 0, 10 та 100 кГр. Дослідження проведені в температурному діапазоні 120-330 К, а також в умовах ультразвукового навантаження при кімнатній температурі (частота коливань 9.6 МГц, інтенсивність повздовжніх хвиль до 1.3 Вт/см 2 ). Встановлено, що основними механізмами перенесення заряду є термоелектрична емісія, пряме тунелювання через глибокий центр та стимульоване фононами тунелювання, причому внесок останнього механізму стає суттєвим лише після опромінення. Вперше виявлено ефект акустоіндукованого оборотнього збільшення величини зворотнього струму; розглянуто можливість застосовування ефекту для створення сенсора γ-опромінення. Показано, що особливості виявленого ефекту можуть бути пояснені іонізацією дефектів на границі розділу за рахунок взаємодії ультразвуку з дислокаціями та радіаційними точковими порушеннями періодичності в неопромінених та опромінених структурах відповідно.

show abstract

Section: вступunclassified

Measuring Stand for Angle Turn Gauge Investigation on the Surface Acoustic Wave

Лепіх¹,

Снігур²,

Карпенко³

2013

SEMST

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The basic electrophysical and photo-electric properties of this material are governed by extremely high concentrations of electrically active point-like (10 21 -10 22 m −3 ) and linear (a density of 10 9 -10 10 m −2 for the growth dislocations) defects which interact with one another. The application of ultrasound is one of the methods to controllably vary the defect structure in both CdHgTe and other semiconductors [3][4][5]. In particular, it was found that the acoustically stimulated reconstruction of point defects, owing to their electric and deformation interaction with dislocations, results in changes in the concentration, mobility, and lifetime of free charge carriers in CdHgTe [6,7].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free cd\boldmath$_{0.2} $hg$_{0.8}$te crystals

Lysyuk,

Olikh,

Olikh

et al. 2014

Preprint

View full text Add to dashboard Cite

The temperature dependence of the ultrasound wave absorption in bulk p-Cd0.2Hg0.8Te crystals free from low-angle grain boundaries has been studied experimentally for the first time in the frequency range 10-55 MHz and the temperature interval 150-300 K, and the corresponding results of measurements are presented. The maximum value of absorption coefficient is found to increase and to shift toward higher temperatures, as the ultrasound frequency grows. The results obtained can be satisfactorily explained in the framework of the Brailsford model, which associates the ultrasound absorption with vibrations of thermally activated dislocation kinks. The characteristic parameters of this model for p-Cd0.2Hg0.8Te are determined; namely, the frequency coefficient f k ≈ 6 × 10 9 Hz and the kink diffusion activation energy W k ≈ 0.11 eV. The dislocation concentration is also evaluated (α ≈ 2 × 10 10 m −2 ), with the determined value being consistent with that obtained by the selective etching method (0.7 × 10 10 m −2 ). K e y w o r d s: ultrasound, dislocations, CdxHg1−xTe.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Features of Ultrasound Absorption by Dislocations in Subgrain-Free Cs0.2Hg0.8Te Crystals

Lysiuk

Olikh

et al. 2014

Ukr. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

The temperature dependence of the ultrasound wave absorption in bulk 𝑝-Cd0.2Hg0.8Te crystals free from low-angle grain boundaries has been studied experimentally for the first time in the frequency range 10-55 MHz and the temperature interval 150-300 K, and the corresponding results of measurements are presented. The maximum value of absorption coefficient is found to increase and to shift toward higher temperatures, as the ultrasound frequency grows. The results obtained can be satisfactorily explained in the framework of the Brailsford model, which associates the ultrasound absorption with vibrations of thermally activated dislocation kinks. The characteristic parameters of this model for 𝑝-Cd0.2Hg0.8Te are determined; namely, the frequency coefficient 𝑓 𝑘 ≈ 6 × 10 9 Hz and the kink diffusion activation energy 𝑊 𝑘 ≈ 0.11 eV. The dislocation concentration is also evaluated (𝛼 ≈ 2 × 10 10 m −2 ), with the determined value being consistent with that obtained by the selective etching method (0.7 × 10 10 m −2 ). K e y w o r d s: ultrasound, dislocations, Cd𝑥Hg1−𝑥Te.

show abstract

Ultrasonically Recovered Performance of $\gamma $-Irradiated Metal-Silicon Structures

Cited by 11 publications

References 38 publications

Measuring Stand for Angle Turn Gauge Investigation on the Surface Acoustic Wave

Measuring Stand for Angle Turn Gauge Investigation on the Surface Acoustic Wave

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free cd\boldmath$_{0.2} $hg$_{0.8}$te crystals

Features of Ultrasound Absorption by Dislocations in Subgrain-Free Cs0.2Hg0.8Te Crystals

Contact Info

Product

Resources

About