Ultra-wideband CMOS low-noise amplifier with active interferer rejection

Hwang, Inkyu; Kwon, Ickjin

doi:10.1587/elex.13.20160597

Cited by 4 publications

(1 citation statement)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…CMOS processes are popular for implementing radio-frequency (RF) integrated circuits with reduced cost and area [1,2]. However, MOSFETs in CMOS processes are very sensitive to electrostatic discharge (ESD) events [3,4].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Improved stacked-diode ESD protection in nanoscale CMOS technology

Lin

2017

IEICE Electron. Express

View full text Add to dashboard Cite

An improved electrostatic discharge (ESD) protection design, using stacked diodes with silicon-controlled rectifier (SCR), is presented to protect the radio-frequency (RF) integrated circuits in nanoscale CMOS process. Using the stacked diodes and SCR together to form diode-triggered-SCR-like paths, the critical ESD current paths are enhanced. The test circuits of the proposed ESD protection and conventional designs are compared in silicon chip. As verified in a 0.18 µm CMOS process, the proposed design exhibits a lower clamping voltage and higher current handling ability during ESD stress conditions, and sufficiently low parasitic capacitance and leakage current during normal circuit operating conditions. Therefore, the proposed design is suitable for ESD protection of RF circuits in low-voltage CMOS process.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Improved stacked-diode ESD protection in nanoscale CMOS technology

Lin

2017

IEICE Electron. Express

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Сверхширокополосный Малошумящий Усилитель На Основе Активной Катушки Индуктивности С Подавлением Помех Беспроводной Локальной Сети

Коирала¹

2021

Известия вузов. Радиоэлектроника

View full text Add to dashboard Cite

В статье предложен сверхширокополосный малошумящий усилитель (МШУ) в диапазоне частот 3,1–10,6 ГГц на основе топологии активной катушки индуктивности. МШУ разработан для обеспечения постоянного коэффициента усиления и подавления помех от беспроводной локальной сети в диапазоне частот 5–6 ГГц. В работе представлена активная катушка индуктивности на основе топологии резистора обратной связи, интегрированная с МШУ. Использование активной катушки индуктивности вместо стандартной спиральной КМОП катушки обеспечивает выигрыш по площади, добротности и значению индуктивности. Активная катушка индуктивности обеспечивает относительно равномерное значение индуктивности на частотах 5–6 ГГц и используется для работы режекторного фильтра на кристалле, с максимальным затуханием 45 дБ на центральной частоте ~5,6 ГГц. МШУ спроектирован и работает по стандартной КМОП-технологии 0,18 мкм. Спроектированный МШУ обеспечивает усиление 20 дБ и коэффициент шума менее 3,7 дБ в различных диапазонах частот. Обратные потери на входе (S11) и выходе (S22) составляют менее –10 и –12 дБ, соответственно, в указанном диапазоне частотного спектра, при этом усилитель занимает площадь кристалла 0,54 мкм2. Разработанный МШУ имеет высокий равномерный коэффициент усиления, высокое подавление помех, минимальные значения обратных потерь и низкий коэффициент шума в диапазоне 3,1–10,6 ГГц. Данный МШУ рекомендуется к использованию во входных каскадах различных устройств.

show abstract

On the Use of 6th-Order Tunable Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Varactor based Filter in Ultra-Wideband Low Noise Amplifier

Khaleel¹,

Abbas²

2018

TOEEJ

View full text Add to dashboard Cite

Background:The plethora of the emerged radio frequency applications makes the frequency spectrum crowded by many applications and hence the ability to detect specific application’s frequency without distortion is a difficult task to achieve.Objective:The goal is to achieve a method to mitigate the highest interferer power in the frequency spectrum in order to eliminate the distortion.Method:This paper presents the application of the proposed tunable 6th-order notch filter on Ultra-Wideband (UWB) Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Low Noise Amplifier (LNA) utilising self-forward body bias (SFBB).Results:The proposed filter presents 23.5dBm minimum interferer rejection (IR) and attenuates the interferer signal from -43dBm to -67dBm at frequency 5.17GHz. In addition, the maximum IR is 40dBm and attenuates the interferer signal from -41dBm to -81dBm at frequency 5.785GHz. The proposed filter provides coarse tuning with frequency spacing (10MHz) and soft tuning with frequency spacing (1MHz). The UWB CMOS LNA consumes only 5.22mW from a supply voltage of 1.2V and presents a maximum gain of 14dB at frequency 6.25GHz in the -3dB bandwidth from 4.75GHz to 7.5GHz. In addition, the average noise figure is 3.1dB and the input insertion losses (S11) is less than -12dB along the designed bandwidth. The simulation is performed in Advanced Design System (ADS2016.01) software utilising 180nm Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) Berkeley Short-channel Insulated Gate Field Effect Model (BSIM3v3) model files.Conclusion:The proposed method achieves high interferer power rejection with both soft and coarse tuning.

show abstract

Ultra-wideband CMOS low-noise amplifier with active interferer rejection

Cited by 4 publications

References 9 publications

Improved stacked-diode ESD protection in nanoscale CMOS technology

Improved stacked-diode ESD protection in nanoscale CMOS technology

Сверхширокополосный Малошумящий Усилитель На Основе Активной Катушки Индуктивности С Подавлением Помех Беспроводной Локальной Сети

On the Use of 6th-Order Tunable Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Varactor based Filter in Ultra-Wideband Low Noise Amplifier

Contact Info

Product

Resources

About