Über einige Halbleitereigenschaften des Kupferoxyduls

Fritzsche, Carolin

doi:10.1002/andp.19554500307

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Leitfähigkeitsänderung dünner Kupferoxydulschichten bei elektrostatischer Aufladung

Deubner

Schulz

1960

Annalen der Physik

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Alit 20 Abbildungen Inhaltsiibersicht I n der vorliegenderi Arbeit werden Untersuchungen der Leitfahigkeitsanderung dunner Kupferoxydul-Xchichten bei elektrostatischer Aufladung (Feldeffekt) beschrieben. Leitfiihigkeit und Feldeffekt werden in Abhangigkeit von den Herstellungsbedingungen (Sauerstoffdruck, Temperatur, Abkuhlung) gemessen. Wahrend die Leitfahigkeit einen auch von anderen Autoren bei kompaktem Material gefundenen Gang mit dem Sauerstoffdruck einer vorhergehenden Temperung aufweist, laBt sich ein EinfluB auf den Feldeffekt wegen der groBen Exemplarstreuung nicht nachweisen. Der Effekt zeigt eine starke Abhangigkeit von der umgebenden Gasatmosphiire. Wie zu erwarten, wird die gesamte Schicht durch die Adsorption verschiedener Fremdgase stark beeinflufit.Im Vakuum wurde der Feldeffekt zwischen -56" und +30 "C untersucht.Bei Zimmertemperatur stimmen die Ergebnisse befriedigend mit denen von Zucklerl) uberein. Bei tiefen Temperaturen zeigt sich jedoch nach Anlegen des elektrischen Feldes ein bisher nicht beobachtetes Verhalten. Bose2) und Pohlz) haben schon 1906 versucht, die Leitfahigkeitsanderung dunner Silber-und Platinschichten im transversalen elektrischen Feld zu messen, um so die Zahl der freien Elektronen in Metallen zu bestimmen. Andere Autoren haben spater an Graphit 4, und verschiedenen Metallen4-8) lihnliche Untorsuchungen angestellt. Durch die grundlegenden Arbeiten von S h o c kle y und P e a r s on9) wurden Feldeffekt-Messungen als Untersuchungsmethode in die Halbleiterforschung eingefuhrt.

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