Two-dimensional hole gas formed at diamond surface by Al2O3/diamond interface engineering

Wu, Kongping; Zhang, Yong; Ma, Jianli; Fu, Zhifen; Chen, Changzhao

doi:10.1016/j.diamond.2020.107807

Cited by 5 publications

(2 citation statements)

References 53 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…In order to further explore the charge transfer at these interfaces, Bader charges of all atoms near the interface was calculated and analyzed 53 , 54 . According to our calculation, the charge transfer only occurred at the interface.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

A comparative study of interfacial thermal conductance between metal and semiconductor

Zhang

Wang

et al. 2022

Sci Rep

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

To understand and control thermal conductance of interface between metal and semiconductor has now become a crucial task for the thermal design and management of nano-electronic and micro-electronic devices. The interfacial alignments and electronic characteristics of the interfaces between metal and semiconductor are studied using a first-principles calculation based on hybrid density functional theory. The thermal conductance of interfaces between metal and semiconductor were calculated and analyzed using diffuse mismatch model, acoustic mismatch model and nonequilibrium molecular dynamics methods. Especially, according to nonequilibrium molecular dynamics, the values of thermal conductance were obtained to be 32.55 MW m−2 K−1 and 341.87 MW m−2 K−1 at C–Cu and Si–Cu interfaces, respectively. These results of theoretical simulation calculations are basically consistent with the current experimental data, which indicates that phonon–phonon interaction play a more important role than electron–phonon interaction during heat transport. It may be effective way to improve the interfacial thermal conductance through enhancing the interface coupling strength at the metal–semiconductor interface because the strong interfacial scattering plays a role in suppressing in the weaker interface coupling heterostructure, leading to the lower thermal conductance of interfaces. This could provide a beneficial reference for the design of the Schottky diode and thermal management at the interfaces between metal and semiconductor.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

A comparative study of interfacial thermal conductance between metal and semiconductor

Zhang

Wang

et al. 2022

Sci Rep

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Effi cient control of interphase electronic states of Al 2 O 3 /diamond interfaces has been considered in [6], where calculations have been used to fi nd out the infl uence of Al 2 O 3 and diamond planes on the electronic properties of Al 2 O 3 /diamond interfaces. Thus, for the most stable C-Al interface in Al, under conditions of increased Al content, there is achieved strong p-type doping with obvious localization characteristics due to a charge transfer generated at the C-Al interface.…”

mentioning

confidence: 99%

Поліпшення Експлуатаційних Характеристик Алмазного Шліфувального Інструменту Модифікацією Поверхні Зерен Синтетичних Алмазів

Лавріненко,

Бочечка,

Полторацький

et al. 2024

Sci. innov.

View full text Add to dashboard Cite

Вступ. Підприємствам машинобудування України потрібен високоефективний алмазний шліфувальний інструмент. Для його ефективного використання необхідним є застосування в ньому порошків синтетичного алмаза високої якості з поліпшеними експлуатаційними характеристиками.Проблематика. У шліфувальному інструменті застосовують синтетичні алмази, одним з недоліків яких є схильність до окислення за умов високих температур, які можуть виникати при високопродуктивному шліфуванні сучасних важкооброблюваних матеріалів.Мета. Дослідження можливостей поліпшення експлуатаційних характеристик алмазного шліфувального інструменту спрямованою модифікацією поверхні зерен синтетичних алмазів.Матеріали й методи. Модифікування поверхні алмазних порошків марок АС6—АС20 здійснювали ізотермічним методом рідинно-фазного нанесення з насичених розчинів на поверхню алмазів як термостійких оксидів (В2О3, Al2O3), хлоридів (СаСl2, NaCl, MgCl2, FeCl3), так і їхніх сумішей (В2О3 + СаСl2, В2О3 + NaCl).Результати. Розроблено базову технологію формування термостабільних зносостійких покриттів на поверхні зерен алмазних шліфпорошків з сумішей розчинних та нерозчинних кисне- (B2O3, TiO2, SiO2, Al2O3, TiO, CaO, ZnO, CeO2, SnO2), силікато- (Na2O(SiO2)n), (K2O(SiO2)n) та карбідовмісних (SiC, TiC, B4C) сполук у різних поєднаннях. Встановлено, що модифікування дозволяє знизити витрати алмазів у кругах при шліфуванні, а найефективнішим є модифікування оксидами B2O3 та Al2O3. Показано, що модифікація поверхні алмазних зерен комбінацією B2O3/Al2O3 дозволяє підвищити заповненість матеріалом шорсткої шліфованої поверхні та збільшити її тримальну здатність. Встановлено, що при підвищенні собівартості виготовлення покриття на 9—11 % шляхом модифікування зерен абразиву шліфувальних кругів їхня зносостійкість підвищується вдвічі.Висновки. Застосування в робочому шарі алмазних кругів таких спрямовано поліпшених алмазних шліфпорошків дозволяє підвищити експлуатаційні характеристики алмазного шліфувального інструменту та збільшити його зносостійкість.

show abstract

Structural design and electronic performance at MO /diamond (M = Hf, Zr, Ti, Al, Sc, Y) interfaces for MOS device applications

Cheng,

Li,

Gui

et al. 2025

Applied Surface Science

View full text Add to dashboard Cite

Two-dimensional hole gas formed at diamond surface by Al2O3/diamond interface engineering

Cited by 5 publications

References 53 publications

A comparative study of interfacial thermal conductance between metal and semiconductor

A comparative study of interfacial thermal conductance between metal and semiconductor

Поліпшення Експлуатаційних Характеристик Алмазного Шліфувального Інструменту Модифікацією Поверхні Зерен Синтетичних Алмазів

Structural design and electronic performance at MO /diamond (M = Hf, Zr, Ti, Al, Sc, Y) interfaces for MOS device applications

Contact Info

Product

Resources

About