Tight-binding Model in First and Second Quantization for Band Structure Calculations

Lima, W. P.; Araújo, Francisco Ronan Viana; Costa, D. R. da; Sena, S. H. R.; Pereira, J. Milton

doi:10.1007/s13538-021-01027-x

Cited by 10 publications

(8 citation statements)

References 29 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…After finding several interesting behaviors of BCD and Berry curvature in the low-energy model for our system, we now employ a tight-binding model [37][38][39][40] derived from the lowenergy Hamiltonian. The tight-binding Hamiltonian reads…”

Section: Tight-binding Modelmentioning

confidence: 99%

Nonlinear Hall effect in Rashba systems with hexagonal warping

Saha,

Narayan

2023

J. Phys.: Condens. Matter

View full text Add to dashboard Cite

Rashba spin-orbit coupled systems are an important class of materials noted for diverse fundamental and applied phenomena. Recently, the emergence of non-linear Hall effect under conditions of time-reversal symmetry has been discovered in materials with broken inversion symmetry. In this work, we study the second- and third-order Hall response in Rashba systems with hexagonal warping. Starting with a low-energy model, we obtain the analytic expressions and discover the unique dipole profile in Rashba systems with hexagonal warping. Furthermore, we extend the analysis using a realistic tight-binding model. Next, we predict the existence of a third-order Hall effect in these systems, and calculate the Berry connection polarizability tensor analytically. We also show how the model parameters affect the third-order conductivity. Our predictions can help in the experimental realization of Berry curvature multipole physics in Rashba materials with hexagonal warping, and provide a new platform for engineering the non-linear Hall effects.

show abstract

Section: Tight-binding Modelmentioning

confidence: 99%

Nonlinear Hall effect in Rashba systems with hexagonal warping

Saha,

Narayan

2023

J. Phys.: Condens. Matter

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The TB approximation is a straightforward technique for determining the band structure of crystalline materials. Using this method, the wavefunction of bilayer graphene is examined to determine its band structure while operating under translational symmetry to satisfy the Bloch theorem [22]. We establish the non-interacting TB Hamiltonian of AB stacked bilayer graphene in second quantization with spin polarisation.…”

Section: Theoretical Approachmentioning

confidence: 99%

Effect of intrinsic & Rashba spin-orbit interactions (SOI) in case of bilayer graphene

Kumari,

Pratap

2023

J. Phys.: Conf. Ser.

View full text Add to dashboard Cite

In this study, we investigated how various SOI affect the properties of bilayer graphene’s energy band structure. We have considered intralayer interactions in this work. We focused on the system without biasing. We found that the intrinsic spin-orbit interaction (ISOI) can produce an energy band gap in bilayer graphene. On the other hand, in the case of an intralayer Rashba spin-orbit interaction (RSOI) different energy bands exist. The results shown depicts how the behaviour of the energy bands remains the same when we are increasing the number of atoms (N) in a unit cell of bilayer graphene.

show abstract

“…onde T (x k ) é a energia cinética, V (x k , x l ) é a energia potencial devido à interação entre as partículas e x k(l) denota as coordenadas (espaciais e/ou qualquer outra variável discreta, como por exemplo coordenada de spin) [25,44] da k(l)-ésima partícula. A respectiva função de onda do sistema de N partículas, por sua vez, é…”

Section: Propriedades Eletrônicas Elementaresunclassified

“…No entanto, há poucas referências disponíveis em língua portuguesa. Assim, nesse trabalho, vamos fazer uma abordagem teórica de maneira sistemática e didática sobre a focalização de um feixe de elétrons por uma junção p-n e por uma junção p-n-p de grafeno usando o modelo de ligação forte (do inglês, tight-binding [25]). A focalização é realizada pela sintonização de um potencial de porta que atua como um índice de refração.…”

Section: Introductionunclassified

Análogos eletrônicos de dispositivos ópticos em grafeno: da junção p-n à lente de Veselago

Araújo

Magalhães

Sousa

et al. 2022

Rev. Bras. Ensino Fís.

View full text Add to dashboard Cite

O grafeno consiste em átomos de carbono com hibridização sp2 arranjados em uma estrutura cristalina favo de mel e conectados por meio de ligações covalentes. Foi isolado pela primeira vez em 2004 por Geim e Novoselov e tem sido considerado um candidato promissor para futuras aplicações nanoeletrônicas. No limite de baixas energias, os portadores de carga no grafeno comportam-se como férmions de Dirac sem massa, de modo que propriedades eletrônicas e de transporte não usuais são observadas, criando uma ponte entre a física da matéria condensada e a eletrodinâmica quântica, além de abrir novas perspectivas para a eletrônica à base de carbono. Artigos que investigam tanto as propriedades físicas quanto propostas de aplicações do grafeno são facilmente encontrados em língua inglesa, o que não é observado em língua portuguesa. Nesse sentido, esse trabalho objetiva estudar de forma sistemática e didática a analogia entre óptica e transporte eletrônico em nanoestruturas de grafeno, em especial, a focalização de um feixe de elétrons por junções p-n e p-n-p de grafeno usando o modelo de ligação forte, com o intuito de explanar conceitos como refração negativa e lente de Veselago.

show abstract

Tight-binding Model in First and Second Quantization for Band Structure Calculations

Cited by 10 publications

References 29 publications

Nonlinear Hall effect in Rashba systems with hexagonal warping

Nonlinear Hall effect in Rashba systems with hexagonal warping

Effect of intrinsic & Rashba spin-orbit interactions (SOI) in case of bilayer graphene

Análogos eletrônicos de dispositivos ópticos em grafeno: da junção p-n à lente de Veselago

Contact Info

Product

Resources

About