Thermoluminescence properties of aluminum oxide thin films obtained by pulsed laser deposition

Villarreal-Barajas, J. Eduardo; Escobar‐Alarcón, L.; Gónzález, Pedro Urra; Camps, E.; Barboza-Flores, M.

doi:10.1016/s1350-4487(02)00062-8

Cited by 17 publications

(9 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Последние исследования показали возмож-ность применять в отдельных направлениях дозиметрии помимо монокристаллических дозиметров TLD-500 на основе аниондефицитного Al 2 O 3 , выращиваемого из рас-плава методами Степанова и Чохральского, тонкие плен-ки [34] или наноструктурированные покрытия толщиной до 20−40 µm [35].…”

Section: Introductionunclassified

Cтруктурные И Магнитно-Люминесцентные Свойства Допированного Углеродом Оксида Алюминия

Ильвес¹,

Зуев²,

Мурзакаев³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Импульсным электронным испарением в вакууме получены трехфазные (корунд + δ-фаза + аморфная фаза) аморфно-нанокристаллические порошки чистого и допированного углеродом Al 2 O 3 (x C = 1.07−6.6 wt.%). Размер гексагональных нанокристаллов корунда в нанопорошке Al 2 O 3 −C (x C = 1.07 wt.%) составлял около 5 nm. Граница растворимости углерода в решетке Al 2 O 3 находилась ниже 1.07 wt.% С. Установлена зависимость формы катодолюминесцентных спектров и фазового состава полученных нанопорошков Al 2 O 3 и Al 2 O 3 −C от материала испаряемой мишени. Обнаружено отсутствие R-линий от примесных ионов Cr ВведениеСовременные исследования ферромагнетизма в низ-коразмерных структурах (тонких пленках, покрытиях, наночастицах (НЧ), нанопорошках (НП) и др.) чи-стых и допированных немагнитными элементами окис-лов показали ФМКТ c ясной петлей гистерезиса при температуре 390 K и удельной намагниченностью при 300 K около 3.5 · 10 −3 emu/g. Тонкие пленки оксида алюминия благодаря лучшей стабильности и высокой диэлектрической проницаемости широко используются в спинтронных приложениях и в будущем могут стать заменой традиционного полупроводника SiO 2 в устрой-ствах MOП (металл−оксид−полупроводник) и в других областях [19].Расчеты из первых принципов (ab initio) показали, что ферромагнетизм в Al 2 O 3 может быть индуцирован за счет допирования углеродом Al-и O-узлов решетки, в которых спиновые плотности локализуются в основном на С-допанте [20]. Допирование углеродом в узлах Al приводит к сужению запрещенной зоны и значительно изменяет потолок валентной зоны, хотя допирование С в узлах О действует на краях запрещенной полосы слабо.Однако

show abstract

Section: Introductionunclassified

Cтруктурные И Магнитно-Люминесцентные Свойства Допированного Углеродом Оксида Алюминия

Ильвес¹,

Зуев²,

Мурзакаев³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Additionally, properties of surface layers could be changed by changing the deposition parameters. Recently, there has been growing interest to deposit surface layers of ceramic materials using different deposition techniques like chemical vapor deposition, physical vapor deposition, RF magnetron sputtering, DC glow discharges, plasma focus device and pulse laser deposition [1][2][3][4][5][6][7]. Among the promising ceramic materials, much more attention has been paid to form Al 2 O 3 surface layers by virtue of their potential industrial applications such as defensive layers for metal reflectors in electronic and optical industries, temperature stabilization of satellites, dark mirrors and in semiconductors devices [8][9][10][11].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Cost Effective Deposition of Aluminium Oxide Layers

Khan¹

2013

J. Basic Appl. Sci.

View full text Add to dashboard Cite

Al2O3 surface-layers were deposited on Al substrates by thermal evaporation technique. Samples were treated for different (1 h, 2 h, 3 h, 4 h and 5 h) treatment time in open air environment by keeping the temperature (550 o C) of the evaporator plate constant. XRD patterns revealed the emergence of Al2O3 H2O (111), Al (OH)3 (214) and Al2O3 (20 6) planes. Crystallinity of the above mentioned phases was attributed with treatment time. However, minimum treatment time to break oxygen hydrogen bonds and the formation of Al2O3 plane was 5 h. Crystallite size and compressive stress found in Al2O3 (2 0 6) plane were 14.31 nm 0.53 GPa respectively. SEM microstructure features revealed the formation of rounded grains, irregular patches and rods. AFM analysis exhibited the formation of dome shapes microstructures. The grain size and surface roughness were increased from 1 μm to 2.5 μm and from 35 nm to 115 nm respectively. This variation in surface roughness and grain sizes was associated with treatment time.

show abstract

“…On the other hand, the TL dosimetric properties of 2 μm LiF thin films produced, using the electron beam evaporation technique have also been investigated [2]. The TL response to UV and beta radiation of aluminium oxide thin films prepared by laser ablation has been reported previously for films with thickness in the sub-micron range [3,4]. The main interest of the TL response of materials in the form of thin films is related to their use as dosimetric tools to address the difficulties associated in the study of dose distributions in interfaces [5,6].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Thermoluminescent response of aluminium oxide thin films subject to gamma irradiation

Arrieta

Escobar‐Alarcón

Camps

et al. 2007

Radiation Effects and Defects in Solids

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The thermoluminescent (TL) properties of amorphous aluminium oxide thin films (thickness of the order of 0.3 μm) subjected to gamma (Co-60) irradiation are reported. Aluminium oxide thin films were prepared by laser ablation from an Al 2 O 3 target using a Nd:YAG laser with emission at the fundamental line. The films were exposed to gamma radiation (Co-60) in order to study their TL response. Thermoluminescence glow curves exhibited two peaks, one at 110 • C and another at 176 • C. The high temperature peak shows a reasonable stability and ∼30% fading in the first five days after irradiation. A linear relationship between the absorbed dose and the thermoluminescent response for doses from 150 mGy to 100 Gy was observed. These results suggest that aluminium oxide thin films are suitable for detection and monitoring of gamma radiation.

show abstract

Thermoluminescence properties of aluminum oxide thin films obtained by pulsed laser deposition

Cited by 17 publications

References 17 publications

Cтруктурные И Магнитно-Люминесцентные Свойства Допированного Углеродом Оксида Алюминия

Cтруктурные И Магнитно-Люминесцентные Свойства Допированного Углеродом Оксида Алюминия

Cost Effective Deposition of Aluminium Oxide Layers

Thermoluminescent response of aluminium oxide thin films subject to gamma irradiation

Contact Info

Product

Resources

About