Thermoelectric Properties of a Ferromagnetic Semiconductor Based on a Dirac Semimetal (Cd3As2) under High Pressure

Relaxation Effects in Cd48.6Mn11.4As40 and Cd50.3Mn8.2As41.5 at High pressures

“…Проведенный . 3) (учитывая разное количество магнитных наногранул MnAs и различие в их размерах в исследуемых материалах), можно говорить о преобразованиях электронной подсистемы именно матрицы композита, когда при увеличении давления изменяются параметры кристаллической решетки и уменьшается объем элементарной ячейки. Полученные результаты согласуются с результатами исследования поведения термоэдс композита 44.7 мол.% MnAs при давлениях до 50 ГПа [11].…”

“…В [11] обсуждается наличие барического фазового перехода в композите в окрестности 33 ГПа, вероятнее всего связанного с особенностями поведения характеристик электронной подсистемы матрицы композита Cd 3 As 2 [12]. При этом учтено, что кристаллическая моноклинная структура Cd 3 As 2 устойчива вплоть до 50 ГПа [12].…”

Performance of a Thermally Regenerative Battery with 3D-Printed Cu/C Composite Electrodes: Effect of Electrode Pore Size

“…Low-grade waste heat (temperature <130 °C) generated from industrial and geothermal processes is a large energy resource that may be utilized through energy recovery. − Among various recovery methods, one promising technology is the conversion of low-grade waste heat into electricity using solid-state thermoelectric system based on semiconductor materials (STES), , organic Rankine cycle (ORC), , and membrane-based thermo-osmotic systems (MTOS). , However, expensive material and/or operational costs, poor energy storage capacity, and relatively complex system of STES and ORC limit their development. , MTOS technologies have resulted in low power densities and energy efficiencies, although these technologies are scalable and less expensive. , To convert low-grade heat to electricity, it is necessary to develop a new technology that is less expensive, scalable, and is easy to put into production. , …”

Влияние гидростатического давления до 9 ГПа на гальваномагнитные свойства сплава системы Cd 3 As 2 –MnAs (20 мол. %) в поперечном магнитном поле

“…Величина пика на барической зависимости приведенного магнетосопротивления растет с увеличением напряженности магнитного поля. В композитах с другим содержанием MnAs также в окрестности 4 ГПа наблюдали особенности в поведении электрических характеристик [14,19,21]. Механизм возникновения ОМС в гранулированных структурах представлен в работах [24][25][26].…”