Thermal Simulation of High Power Transistors and MIC and a New Flip-Chip Technology

Abstract

Аннотация -Приведены результаты моделирования теплового режима мощного СВЧ транзистора. Показано, что основной вклад в тепловое сопротивление дает кристалл GaAs. Предложена новая конструкция транзистора и метод его монтажа, позволяющие уменьшить габариты, увеличить толщину и уменьшить тепловое сопротивление прибора.