Thermal Chemical Vapor Deposition

Jensen, Klavs F.

doi:10.1016/b978-0-08-052421-4.50011-3

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“…The atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) and reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) processes operate at atmospheric pressure or slightly below (10 4 -10 5 Pa(75-750 Torr)) [11]. Figure 3.52 represents an AP-CVD/RPCVD tube reactor.…”

Section: Atmospheric and Reduced Pressure Cvd (Apcvd/rpcvd) Reactormentioning

confidence: 99%

“…Viscous flow occurs at a pressure of 1 % of atmospheric pressure (10 3 Pa) or above [1,11]. This pressure range is typical for most CVD systems.…”

Section: Viscous Flowmentioning

confidence: 99%

“…Alternatively, chemical reactions may be used by intend. They create a thin-film, for instance by the reaction of two precursors in gaseous state, representing a chemical vapor deposition (CVD) [1,[11][12][13][14]. PVD and CVD are dry processes, with a majority conducted under vacuum conditions.…”

Section: Introduction Into Depositionmentioning

confidence: 99%

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Deposition Technologies

Gatzen¹,

Saile²,

Leuthold³

2015

Micro and Nano Fabrication

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Deposition of thin-films used in MEMS and NEMS devices rely on a wide variety of technologies. Physical vapor deposition (PVD) uses physical effects like evaporation or ion bombardment to create thin-films on a substrate by forcing source atoms into a gaseous phase. Chemical vapor deposition (CVD) and similar processes create coatings by a chemical reaction of volatile species by using reaction processes defined by chemical reaction equations. While PVD and CVD are dry processes, for depositing conductive thin-films the substrate may be submerged in an electrically conductive liquid (an electrolyte) and subjected to electrochemical or chemical deposition. Spin-coating and spray-coating are two examples of technologies that lend themselves to creating organic films-a technology widely used in depositing photoresists in photolithography. Dip processes like solgel may be used for the creation of oxide coatings.

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Section: Atmospheric and Reduced Pressure Cvd (Apcvd/rpcvd) Reactormentioning

confidence: 99%

“…Viscous flow occurs at a pressure of 1 % of atmospheric pressure (10 3 Pa) or above [1,11]. This pressure range is typical for most CVD systems.…”

Section: Viscous Flowmentioning

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Deposition Technologies

Gatzen¹,

Saile²,

Leuthold³

2015

Micro and Nano Fabrication

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“…Las capas de silicio epitaxial depositadas a travŽs de la descomposici-n del silano (SiH 4 ) constituyen quiz ‡s el ejemplo m ‡s paradigm ‡ti-co. Actualmente, y debido a su gran versatilidad, las diferentes tŽcnicas de CVD constituyen hoy d'a una de las v'as m ‡s utilizadas en la obtenci-n de recubrimientos s-lidos de mayor implantaci-n industrial (2). As', mediante CVD es posible sintetizar un gran noemero de materiales de propiedades muy diversas (metales, semiconductores, aislantes, superconductores, materiales ferroelŽctricos y ferromagnŽticos, pol'meros, etc.…”

Section: Introducciînunclassified

Preparación de recubrimientos cerámicos mediante técnicas de CVD

Ojeda¹,

Martí²,

Albella³

1998

Bol. Soc. Esp. Ceram. Vidr.

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Se describen los fundamentos de la tŽcnica de CVD y los principales par ‡metros que determinan las caracter'sticas de las capas depositadas. Se discuten as' mismo los diferentes mŽtodos de activaci-n de los gases precursores, necesarios para que la reacci-n de deposici-n ocurra con velocidades apreciables y se dan algunos ejemplos de aplicaci-n de las tŽcnicas de CVD en la preparaci-n de recubrimientos cer ‡micos. Palabras clave: deposici-n qu'mica en fase vapor, recubrimientos cer ‡micos, oxinitruro de silicio, infiltraci-n qu'mica en fase vapor, deposici-n electroqu'mica en fase vapor Preparation of ceramic coatings by CVD techniquesThe fundamentals of the Chemical Vapour Deposition (CVD) techniques and the key parameters determining the characteristics of the deposited layers are described. In addition, we discuss the different activation methods of the precursor gases which are necessary to achieve high reaction rates, and give some practical examples of CVD techniques applied to the preparation of ceramic coatings. Key words: chemical vapour deposition, ceramic coatings, silicon oxynitride, chemical vapour infiltration, electrochemical vapour deposition INTRODUCCIîNLa deposici-n qu'mica en fase de vapor (Chemical Vapour Deposition o CVD) se basa en la reacci-n de una mezcla de gases o vapores qu'micos, para dar lugar a un producto s-lido, generalmente en forma de recubrimiento sobre un substrato, aunque tambiŽn es posible obtener el material en forma de polvo. La diferencia con las denominadas tŽcnicas de tipo f'sico, (Physical Vapour Deposition o PVD) estriba en que en este segundo caso no hay reacci-n qu'mica, y las capas se obtienen directamente por condensaci-n en vac'o de los vapores procedentes de un material s-lido que es calentado hasta la fusi-n o bombardeado con part'culas suficientemente energŽticas.Las tŽcnicas de CVD son conocidas desde hace a-os aunque, a partir de la dŽcada de los 60, han experimentado un desarrollo vertiginoso (1) sobre todo gracias al impulso generado por el desarrollo de la industria microelectr-nica. Las capas de silicio epitaxial depositadas a travŽs de la descomposici-n del silano (SiH 4 ) constituyen quiz ‡s el ejemplo m ‡s paradigm ‡ti-co. Actualmente, y debido a su gran versatilidad, las diferentes tŽcnicas de CVD constituyen hoy d'a una de las v'as m ‡s utilizadas en la obtenci-n de recubrimientos s-lidos de mayor implantaci-n industrial (2). As', mediante CVD es posible sintetizar un gran noemero de materiales de propiedades muy diversas (metales, semiconductores, aislantes, superconductores, materiales ferroelŽctricos y ferromagnŽticos, pol'meros, etc.), que encuentran una gran variedad de aplicaciones (vŽase Tabla I) (3-6). En los oeltimos apartados se da una breve rese-a de algunas de estas aplicaciones tanto en la preparaci-n de recubrimientos como en la s'ntesis de polvos, relacionadas con el mundo de las cer ‡micas.En lo que se refiere a la preparaci-n de recubrimientos, la elevada velocidad de deposici-n que puede conseguirse con esta tŽcnica garantiza, en l...

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“…Many basic works (Ref [8][9][10][11][12][13] showed the importance of controlling the gas hydrodynamics whose complexity, especially in terms of instability (Ref 12,13), required strong numerical efforts to be accurately described by computational fluid dynamics. Special efforts were also carried out to determine the reaction mechanisms at the origin of thin film deposition (Ref [14][15][16].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%