Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors

Embedded System for Supply Voltage Converter of Organic Light-Emitting Diode

“…Проблематика та реалізація конвертера живлення OLED структур представлена в [10]. Проблема нестабільності та деградації параметрів OLED структур в процесі їх експлуатації представлена в [11], а питання моделювання характеристик OLED структур з врахуванням їх нестабільностей -в [12]. Корекція режимів живлення та розроблення схем компенсації дрейфу OLED структур розглянута в [13].…”

“…Слід підкреслити, що реактивні властивості та від'ємний диференційний опір однозначно зв'язані між собою, а простота та багатофункціональність мікроелектронних структур з від'ємним диференційним опором є перспективним напрямком при їх створенні та практичному використанні. Застосування принципу перетворення «температура-частота» на основі наноелектронних квантових гетероструктур з від'ємним диференційним опором суттєво знижує собівартість інформаційно-вимірювальних систем, дозволяє значно зменшити масогабаритні характеристики сенсорів температури, підвищити точність і чутливість перетворення інформаційного сигналу, тобто температуру у частоту [10][11][12][13][14][15][16][17].…”

Technical research and development

“…Field-effect phototransistors with a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure have found wide application in systems for receiving and processing optical information [176]. At present, a theory of the photoreactive effect in MOS transistors has been developed, which quite accurately describes the static characteristics of such devices [177]. However, in the dynamic mode, when a small alternating signal and optical radiation act on the channel, the theoretical issues of changing the parameters of the transistor have not been fully studied.…”

“…However, in the dynamic mode, when a small alternating signal and optical radiation act on the channel, the theoretical issues of changing the parameters of the transistor have not been fully studied. On the other hand, the dependence of the parameters of field-effect phototransistors on optical radiation in a dynamic mode makes it possible to create optical-frequency transducers with optical frequency tuning, which in their characteristics are much better than analog devices [169]. The use of field-effect transistor structures with negative resistance makes it possible to realize a 191 frequency transducer, in which both capacitance and inductance based on field-effect transistors depend on optical radiation, which significantly improves the sensitivity and accuracy of the transducer.…”

“…The element GGS4430T from UST Umwelt Sensor Technik GmbH is used as a gas sensitive element. Finding the optimal operating power point for such a circuit is carried out using two constant voltage sources: supply voltage 2 U and control voltage (Fig.1)[169].…”