1981
DOI: 10.1007/bf02654587
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Theoretical studies on a new single cristalline ribbon growth method

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“…Puissance incidente : Puissance rayonnée : 1 (respectivement ) représentant une sommation sur toutes les mailles de la partie solide (respectivement liquide) de la circonférence.…”
Section: Dans Le Cas Du Siliciumunclassified
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“…Puissance incidente : Puissance rayonnée : 1 (respectivement ) représentant une sommation sur toutes les mailles de la partie solide (respectivement liquide) de la circonférence.…”
Section: Dans Le Cas Du Siliciumunclassified
“…Introduction. -L'étude théorique présentée dans cet article a été entreprise dans le cadre du développement d'une nouvelle méthode de croissance de rubans de silicium [1]. La mise au point de cette méthode nécessitait des études théoriques approfondies en thermique et en croissance cristalline, de façon à mieux comprendre la complexité des interactions de tous les paramètres du système.…”
unclassified
“…Dans la plupart des procédés de tirage de rubans par capillarité les principales limitations proviennent des effets dus aux bords latéraux de la zone liquide. Dans le cas d'un tirage vertical, le comportement des bords a été étudié, soit par des modélisations à l'aide de formes de révolution [20,21], soit par un calcul numérique en trois dimensions de la géométrie exacte de la surface libre du liquide [22]. Un résultat important peut être déduit de ces études : du fait de la courbure assez forte (11R,) de l'extrémité latérale du ruban (R1 ~ er/2), une courbure (1/R2) de même ordre de grandeur est imposée à la surface du liquide dans une direction perpendiculaire à l'interface de cristallisation.…”
Section: Introductionunclassified
“…Introduction. -De nouveaux procédés d'élaboration de monocristaux semiconducteurs de forme prédéterminée se sont développés au cours des dernières années [1][2][3][4][5]. C'est pourquoi des études permettant de comprendre le processus de mise en forme lors de la croissance, à partir du matériau fondu, ont été entreprises.…”
unclassified