The Tb–Hf–Si system at 873 K

Muts, Nataliya; Manyako, Mykola; ŁASOCHA, Wieslaw; Gladyshevskii, R.

doi:10.30970/cma2.0115

Cited by 6 publications

(8 citation statements)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Ізоструктурні сполуки утворюються у системах Hf-Al і Hf-Si: сполуки Hf 2 Al і Hf 2 Si мають структуру типу CuAl 2 (tI12, I4/mcm); у системах Tb-Si і Hf-Si: моносиліциди TbSi та HfSi мають структуру типу FeB (oP8, Pnma), а за співвідношення компонентів 5:3 реалізується гексагональна структура типу Mn 5 Si 3 (hP16, P6 3 /mcm); у системах Tb-Al та Hf-Al: сполуки Tb 3 Al 2 та Hf 3 Al 2 мають структуру типу Zr 3 Al 2 (tP20, P4 2 /mmm). ______________________  Муць Н., Маланчук І., Токайчук Я., Гладишевський Р., 2022 У потрійних системах Tb-Hf-Al [5], Tb-Hf-Si [6], Tb-Al-Si [7] та Hf-Al-Si [4], що обмежують досліджувану систему Tb-Hf-Al-Si, існують 18 тернарних сполук. Сполуки системи Tb-Al-Si (TbAl 2,76-2,60 Si 0,24-0,40 і TbAl 1,05-0,99 Si 0,95-1,01 ) мають області гомогенності.…”

Section: вступunclassified

“…Аналіз міжатомних відстаней (табл. Таблиця 4 Окремі міжатомні відстані (Å) в структурах сполук (Tb 0,74 Hf 0,26 )(Al 0,48 Si 0,52 ), (Tb 0,7 Hf 0,3 )Si [6],…”

Section: результати досліджень та їх обговоренняunclassified

“…Tb(Al 0,15 Si 0,85 ) [10] та HfAl [12] (структурний тип TlI, символ Пірсона oS8, просторова група Cmcm) Table 4 Interatomic distances in the structures of the compounds (Tb 0.74 Hf 0.26 )(Al 0.48 Si 0.52 ), (Tb 0.7 Hf 0.3 )Si [6],…”

Section: результати досліджень та їх обговоренняunclassified

“…Результати ЕДРС аналізу свідчать про склад невідомої фази (Tb 29(1) (Hf,Si) 14(2) Al 57(3) ), що, ймовірно, відповідає новій тернарній сполуці складу ~Tb 28 Hf 24 Al 48 з невеликою розчинністю Si (результати дослідження кристалічної структури цієї фази опубліковуватимуть в окремій праці). Для фази з тетрагональною структурою типу Sc 2 Re 3 Si 4 простежуємо збільшення параметрів елементарної комірки порівняно з літературними відомостями для Tb 2 Hf 3 Si 4[6]) внаслідок часткового заміщення атомів Tb на атоми Hf і атомів Si на атоми Al.…”

unclassified

See 3 more Smart Citations

The Tb‒Hf‒Al‒Si system (600 C)

Muts¹,

Malanchuk²,

Tokaychuk³

et al. 2022

Visnyk Lviv Univ. Ser. Chem.

View full text Add to dashboard Cite

Сплави системи Tb-Hf-Al-Si, відпалені за температури 600 °С, досліджено методами рентгенівських фазового та структурного аналізів і флюоресцентної та енергодисперсійної спектроскопій. Визначено існування тетрарної фази складу (Tb 0,74 Hf 0,26 )(Al 0,48 Si 0,52 ) з ромбічною структурою типу TlI: символ Пірсона oS8, просторова група Cmcm, a = 4,312(1), b = 10,793(3), c = 3,973(1) Å. У системі Tb-Hf-Al-Si також утворюються тверді розчини заміщення на основі окремих бінарних і тернарних фаз. Розчинність інших двох компонентів у бінарній сполуці Hf 5 Si 3 (структурний тип Mn 5 Si 3 , символ Пірсона hP16, просторова група P6 3 /mcm) становить 10 ат. % Tb та 7 ат.% Al ((Tb 0,16 Hf 0,84 ) 5 (Al 0,19 Si 0,81 ) 3 ). Тербій диалюмінід TbAl 2 (MgCu 2 , cF24, Fd-3m) максимально розчиняє 7 ат. % Si ((Tb 0,94 Hf 0,06 )(Al 0,90 Si 0,10 ) 2 ). Сполука еквіатомного складу TbAl (DyAl, oP16, Pbcm) розчиняє до 8 ат.% Hf та 5 ат. % Si ((Tb 0,85 Hf 0,15 )(Al 0,89 Si 0,11 )), а гафній силіцид HfSi зі структурою типу FeB (oP8, Pnma) розчиняє до 9 ат.% Tb та 7 ат. % Al ((Tb 0,17 Hf 0,83 )(Al 0,15 Si 0,85 )). Максимальна розчинність алюмінію в тернарній сполуці Tb 2 Hf 3 Si 4 (Sc 2 Re 3 Si 4 , tP36, P4 1 2 1 2) становить 18 ат. % (Tb 2,4 Hf 2,6 (Al 0,42 Si 0,58 ) 4 ).

show abstract

Section: вступunclassified

Section: результати досліджень та їх обговоренняunclassified

unclassified

See 2 more Smart Citations

The Tb‒Hf‒Al‒Si system (600 C)

Muts¹,

Malanchuk²,

Tokaychuk³

et al. 2022

Visnyk Lviv Univ. Ser. Chem.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…However, these silicon-rich phases with the rareearth metal in the oxidation state + 3 comprise significant defects in the silicon framework. [6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20] The vacancies may be labelled as Zintl-defects [21] as the neighboring framework atoms trap extra electrons in form of lone pairs so that the phases approach electron-precise balance (Table 1).…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Crystal Structure and Magnetic Properties of High‐Pressure Phases RESi₃ (RE=Tb, Dy, Er, Tm)

Neziraj,

Akselrud,

Wirth

et al. 2023

Zeitschrift anorg allge chemie

View full text Add to dashboard Cite

The new metastable binary rare‐earth metal trisilicides RESi3 (RE = Tb, Dy, Er, and Tm) are obtained by high‐pressure high‐temperature synthesis (9.5 GPa, 823‐923 K). Powder diffraction data refinements reveal that their crystal structure is isotypic to that of YbSi3, and the values of cell parameters and cell volumes decrease from Tb to Tm. Magnetic measurements on the compounds indicate Curie‐Weiss paramagnetic behavior and antiferromagnetic ordering at low temperatures. The values for TN follow a de Gennes scaling indicating coupling of the magnetic moments via conduction electrons. Upon heating at ambient pressure, the RESi3 compounds decompose into Si and RESi2‐x.

show abstract

Real Structure, Magnetism and Chemical Bonding of SmSi_3−x

Neziraj,

Prots,

Carrillo‐Cabrera

et al. 2024

Eur J Inorg Chem

View full text Add to dashboard Cite

New metastable SmSi3‐x (x = 0‐0.05) is obtained by high‐pressure high‐temperature synthesis (9.5 GPa, 870‐1270 K). Powder diffraction data refinements reveal that the crystal structure of SmSi3 is isotypic to that of YbSi3 (space group I4/mmm, a = 7.23634(5) Å, c = 11.0854(1) Å). In the crystal structure, two types of Si2 dumbbells agglomerate into layers, which embed the samarium atoms. At ambient pressure, SmSi3 decomposes exothermally upon heating into Si and SmSi2‐x. Single‐crystal structure refinements of a specimen SmSi3‐x (x=0.05) reveal considerable electron density, which is not accounted for by the YbSi3 model. The additional maxima can be assigned to disorder which affects the samarium positions and induces silicon vacancies. Scanning transmission electron microscopy experiments evidence that the disorder can be attributed to extended defects. Magnetic measurements on SmSi3‐x reveal van Vleck paramagnetic behavior and antiferromagnetic ordering at low temperatures. Computations within the local spin density approximation (LSDA and LSDA+U) on the crystal structure of SmSi3 reproduce the antiferromagnetic coupling as the favored long‐range order. Quantum chemical analysis of the chemical bonding in SmSi3 reveals two‐center two‐electron bonds within the Si2 dumbbells plus a total of a little less than four electrons in lone pairs at each silicon atom.

show abstract

The Tb–Hf–Si system at 873 K

Cited by 6 publications

References 5 publications

The Tb‒Hf‒Al‒Si system (600 C)

The Tb‒Hf‒Al‒Si system (600 C)

Crystal Structure and Magnetic Properties of High‐Pressure Phases RESi₃ (RE=Tb, Dy, Er, Tm)

Real Structure, Magnetism and Chemical Bonding of SmSi_3−x

Contact Info

Product

Resources

About

The Tb–Hf–Si system at 873 K

Cited by 6 publications

References 5 publications

The Tb‒Hf‒Al‒Si system (600 C)

The Tb‒Hf‒Al‒Si system (600 C)

Crystal Structure and Magnetic Properties of High‐Pressure Phases RESi3 (RE=Tb, Dy, Er, Tm)

Real Structure, Magnetism and Chemical Bonding of SmSi3−x

Contact Info

Product

Resources

About

Crystal Structure and Magnetic Properties of High‐Pressure Phases RESi₃ (RE=Tb, Dy, Er, Tm)

Real Structure, Magnetism and Chemical Bonding of SmSi_3−x