The mechanism of photoinduced transformations in amorphous As2S3 thin films

Dikova, J.; Starbov, N.; Starbova, K.

doi:10.1016/0022-3093(94)90365-4

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“…We observed that numerous microcrystals of As 2 O 3 were formed on the film surface after intense exposure as reported by various authors [13][14][15][16][17][18][19]. Although such a photo-oxidation reaction has been investigated in detail for a long time, there are still unknown phenomena.…”

Section: Introductionsupporting

confidence: 57%

“…The microcrystals have a high content of O, indicating that a new phase of As 2 O 3 is formed on the film surface after illuminated with band-gap light. This phenomenon has already been reported by several research groups [13][14][15][16][17][18][19] and is caused by both photo-decomposition and photo-oxidation. On the other hand, we could not find microcrystals of Se or As in contrast to the case of As-S films [13,14].…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 71%

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Photo-oxidation of As2Se3, Ag–As2Se3, and Cu–As2Se3 chalcogenide films

Ogusu

Hosokawa

Maeda

et al. 2005

Journal of Non-Crystalline Solids

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Section: Introductionsupporting

confidence: 57%

Section: Resultsmentioning

confidence: 71%

Photo-oxidation of As2Se3, Ag–As2Se3, and Cu–As2Se3 chalcogenide films

Ogusu

Hosokawa

Maeda

et al. 2005

Journal of Non-Crystalline Solids

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“…The experiment was carried out by use of the identical experimental setup and conditions that were done in our previous work [16]. Although the observation of As 2 O 3 microcrystals has been reported by many authors [17][18][19][20][21][22][23], there is not such an attempt as done in the present work. Moreover, we discuss a distinct difference in these two photoinduced phenomena between Ag and Cu addition, which is attributed to the difference between bonding and electronic properties of AgSe and Cu-Se bonds in the glass network.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 92%

Dependence of photo-oxidation on Ag(Cu)-content in Ag(Cu)–As2Se3 films

Ogusu

Hagihara

Hosokawa

et al. 2007

Journal of Non-Crystalline Solids

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“…El proceso de fotodopaje se llevó a cabo iluminando las muestras con una lámpara de Hg de 200 W de potencia. Durante la exposición a la luz, las muestras se dispusieron entre dos substratos vítreos para evitar posibles fenó-menos de fotooxidación y de fotohidrólisis, en la superficie de las láminas calcogenuras (11)(12)(13).…”

Section: Procedimiento Experimentalunclassified

Influencia del contenido metálico sobre las constantes ópticas de laminas delgadas amorfas de composición As<sub>33</sub>S<sub>67</sub> fotodopadas con Ag

González-Leal¹,

Wagner²,

Bernal-Oliva³

et al. 2000

Bol. Soc. Esp. Ceram. Vidr.

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Se han preparado láminas delgadas amorfas calcogenuras de composición Ag x (As 0.33 S 0.67 ) 100-x , mediante el fenómeno fotoinducido conocido como fotodisolución o fotodopaje, alcanzándose concentraciones de Ag en las muestras de hasta un 16.5 % at. Las constantes ópticas de las láminas fotodopadas, se han determinado haciendo uso de un método de caracterización basado en las envolventes de los espectros de transmisión óptica obtenidos en incidencia normal. El análisis de la dispersión del índice de refracción se ha realizado siguiendo el modelo propuesto por Wemple-DiDomenico, basado en la aproximación del oscilador armónico simple. Este modelo ha permitido obtener información estructural de las láminas fotodopadas, a partir de los resultados ópticos. El borde de absorción óptica de las láminas fotodopadas se ha analizado sobre la base del modelo de transición no directa propuesto por Tauc, encontrando una disminución del gap óptico del producto fotodopado, con el contenido de plata. Palabras clave: semiconductores amorfos, vidrios calcogenuros, láminas delgadas, constantes ópticas, efectos fotoinducidos.Influence of the metal content in the optical constants of silver-photodoped As 33 S 67 amorphous thin films Ag x (As 0.33 S 0.67 ) 100-x amorphous chalcogenide thin films have been prepared by the process of photodissolution or photodoping, reaching silver concentrations of up to 16.5 at. %. The optical constants of the photodoped thin-film samples have been calculated from the envelopes of the transmission spectra, taken at normal incidence. The dispersion of the refractive index was analysed on the basis of the single-oscillator model proposed by Wemple and DiDomenico. This model allows obtaining structural information of the silver-photodoped layers from optical data. The optical absorption edge is described using the non-direct transition model suggested by Tauc, and a clear decrease of the optical gap of the photodoped product, with the silver content, has been found.Keywords: amorphous semiconductors, chalcogenide glasses, thin films, optical constants, photoinduced effects. INTRODUCCION.Los materiales calcogenuros amorfos resultan de gran interés dada la variedad de efectos fotoinducidos que muestran. Entre ellos, podemos citar los siguientes: fotovaporización, fotopolimerización, fotovitrificación y fotodisolución de ciertos metales (habitualmente Ag y Zn) (1-3). Todos ellos dan lugar a cambios en las constantes ópticas, así como a desplazamientos del borde de absorción (fotooscurecimiento o fotoaclarado) de estos materiales (4). El más atractivo de cara a sus posibles aplicaciones tecnológicas en el campo del registro óptico y en la fabricación de dispositivos ópticos difractivos es, sin duda, el fenómeno de la fotodisolución de metales, también denominado fotodopaje (1,5). Este fenómeno consiste en la incorporación de iones metálicos en el seno del material calcogenuro, mediante la exposición a radiación de energía cercana al valor del gap óptico del material (usualmente luz ultravioleta) (1,6). Au...

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Photo-oxidation of As2Se3, Ag–As2Se3, and Cu–As2Se3 chalcogenide films

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