The Interface between Germanium and a Purified Neutral Electrolyte

Brattain, W. H.; Boddy, P. J.

doi:10.1149/1.2425500

Cited by 96 publications

(42 citation statements)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…This presumed, the free energies of electrons and holes in an illuminated semiconductor can be characterized by their quasi-Fermi levels Ep* and expressed with the exclusion of degeneracy by nEF* = Ec + kTin(n* /Nc) for electrons (13) pEF* = Ev -kTln(p* /Nv) for holes (14) where n *and p* are the local concentrations of electrons and holes in the steady state of illumination. For electrode reactions, it is the surface concentrations n 8 * and p 8 * which control the driving forces.…”

Section: Photodecompositionmentioning

confidence: 99%

Electrolytic decomposition and photodecomposition of compound semiconductors in contact with electrolytes

Gerischer¹

1978

Journal of Vacuum Science and Technology

176

101

View full text Add to dashboard Cite

Electrons and holes affect the bond strength of surface atoms. Therefore, in most systems their surface concentration controls the rate of electrolytic decomposition reactions. The thermodynamics of such reactions are characterized by their redox potentials which are equivalent to the Fermi energies of electrons or holes. It is shown that the energy positions of the redox Fermi levels for decomposition with respect to the position of the band edges and the Fermi levels of competing redox reactions, give an immediate indication for the susceptibility of a semiconductor to electrolytic decomposition. This concept is especially useful for the discussion of photodecomposition where the electronic free energy can be described by individual quasi-Fermi levels for electrons and holes. Data are given for the semiconductors ZnO, Ti0 2 , Cu 2 0, CdS, MoS 2 , GaP, and GaAs. A model for bond breaking by holes at a kink site of a compound semiconductor is discussed to demonstrate what role the surface bond character plays for the height of activation barriers and how kinetics modify the thermodynamic conclusions on stability.

show abstract

Section: Photodecompositionmentioning

confidence: 99%

Electrolytic decomposition and photodecomposition of compound semiconductors in contact with electrolytes

Gerischer¹

1978

Journal of Vacuum Science and Technology

176

101

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The corresponding over potential is however modulated due to an electric double layer at the cathodeelectrolyte interface forming a capacitor of molecular dimension [18]. Figure 2a and b show experimentally observed potential curves corresponding to specific pulse parameters also shown in the figure.…”

Section: Film Growthmentioning

confidence: 95%

Properties and mechanism of solar absorber CdTe thin film synthesis by unipolar galvanic pulsed electrodeposition

Rastogi

Sharma

2008

J Appl Electrochem

View full text Add to dashboard Cite

Electrochemical deposition of CdTe semiconductor thin films over transparent conducting glass substrates by sequential unipolar current pulses is described. The magnitude of pulsed current and pulse periodicity affects the crystalline structure, morphology, optical absorbance and composition of CdTe films. CdTe films formed under high magnitude pulsed current density *5-15 mA cm -2 are crystalline with dominant cubic structure having (111) plane oriented parallel to the substrate. Stoichiometric CdTe film growth occurs with current pulses of short 25-300 ms periodicity and 3-50 ms duration. A mechanism of the CdTe growth involving in situ cathodic tellurization process step involving H 2 Te formation and reaction with electrochemically deposited Cd monolayer is described. CdTe film growth in the pulsed electrodeposition occurs under mass transport conditions under strong influence of high magnitude pulsed current. This results in much higher growth rates *5-8 lm h -1 for CdTe films which is attractive for CdTe solar cells in a production environment.

show abstract

“…ВАХ системы Ge−OD−электро-лит в сравнении с системой Ge−электролит демонстри-рует уменьшение более чем на порядок тока во всем диапазоне потенциалов поляризации, что свидетельству-ет о сплошности сформированного OD-слоя, а уменьше-ние катодного тока (V s > 0, где V s -поверхностный потенциал полупроводника) дополнительно указывает на низкую проницаемость интерфейса с OD-слоем для протонов [5,7].…”

unclassified

“…Для классического интерфейса n-Ge−электролит [5,7] и его вариаций [8,9] обогащение области простран-ственного заряда (ОПЗ) свободными носителями наблю-дается при гидрированном (Ge−H), а область инверсии при гидратированном (Ge−OH) состоянии интерфей-са. В противоположность этому интерфейс системы Ge−OD−электролит оказался устойчивым во всeм диа-пазоне изменения поверхностного потенциала в ОПЗ германия.…”

unclassified

“…Анодная поляризация связана с накоплением положи-тельного заряда в ОПЗ Ge [5,7]. При этом в интерва-ле потенциалов 0 < V < 3kT /q (где k -постоянная Больцмана, T -абсолютная температура) наблюдается смена знака дипольного скачка потенциалов в OD-слое (см.…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Новый Механизм Поляризации Полупроводника На Интерфейсе С Органическим Диэлектриком

Яфясов¹,

Божевольнов²,

Рюмцев³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Создана система полупроводник-органический диэлектрик с пространственно распределенным зарядом, обладающая уникально низкой плотностью быстрых поверхностных состояний (Nss ) на интерфейсе. На примере n-Ge реализована система с Nss ≈ 5 · 10 10 см −2 и проведено исследование физических характеристик такой системы с жидкостным и металлическим полевыми электродами. В системе с органическим диэлектриком впервые реализован диапазон изменения поверхностного потенциала от обогащения области пространственного заряда полупроводника основными носителями заряда до состояния инверсии без изменения механизма взаимодействия адсорбированного слоя с поверхностью полупроводника. Обнаружен эффект усиления поляризации области пространственного заряда полупроводника вследствие изменения пространственной структуры подвижного заряда в органическом диэлектрическом слое. На основе разработанной системы открываются технологические возможности для формирования новой генерации электронных приборов на органических плeночных структурах и экспериментального моделирования электронных свойств биологических мембран. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44105.8331 Изучение процессов в сложных [1] зарядовых систе-мах, возникающих на межфазной границе полупровод-ника в результате адсорбции [2], является актуальной за-дачей физики наносистем. В этой связи особый интерес направлен на изучение свойств систем со слоем адсор-бированных органических молекул [3], что обусловлено ключевой ролью сложных зарядовых процессов в этих слоях [4] при формировании параметров интерфейса в целом. Результаты этих исследований открывают новые возможности для создания электронных приборов с низкой плотностью быстрых поверхностных состояний (БПС) вблизи середины запрещенной зоны, а также для экспериментального моделирования электрофизических свойств биологических мембран.В данной работе реализована и изучена система на основе традиционной для исследований в системе полупроводник−электролит [5,6] подложки n-Ge c ори-ентацией поверхности (111) и удельным сопротивлени-ем ρ Ge = 5 Ом · см. Органический диэлектрик (OD) с объeмной структурой электрических диполей был по-добран таким образом, чтобы обеспечить низкую плот-ность БПС (N s s < 5 · 10 10 cм −2 ) на интерфейсе. Низкая плотность БПС на исходной поверхности достигалась контролируемым электрохимическим травлением. Плен-ка диэлектрика наносилась на поверхность германия методом центрифугирования.В эксперименте по методике, изложенной в рабо-тах [5,6], измерены вольт-амперные (ВАХ) и вольт-фарадные (ВФХ) характеристики интерфейсов Ge и Ge−OD в системе с жидкостным и металлическим по-левыми электродами при циклическом изменении элек-тродного потенциала. ВАХ системы Ge−OD−электро-лит в сравнении с системой Ge−электролит демонстри-рует уменьшение более чем на порядок тока во всем диапазоне потенциалов поляризации, что свидетельству-ет о сплошности сформированного OD-слоя, а уменьше-ние катодного тока (V s > 0, где V s -поверхностный потенциал полупроводника) дополнительно указывает на низкую проницаемость интерфейса с OD-слоем для пр...

show abstract

The Interface between Germanium and a Purified Neutral Electrolyte

Cited by 96 publications

References 4 publications

Electrolytic decomposition and photodecomposition of compound semiconductors in contact with electrolytes

Electrolytic decomposition and photodecomposition of compound semiconductors in contact with electrolytes

Properties and mechanism of solar absorber CdTe thin film synthesis by unipolar galvanic pulsed electrodeposition

Новый Механизм Поляризации Полупроводника На Интерфейсе С Органическим Диэлектриком

Contact Info

Product

Resources

About