The integrated intensities of the Laue-diffracted X-rays for monocrystals containing macroscopically homogeneously distributed defects

Abstract

A strict dynamical theory of radiation scattering in defect crystals is developed involving no arbitrary assumptions. Final theoretical expressions are obtained for the case of Laue‐diffraction in monocrystals containing homogeneously distributed defects, in particular Coulomb‐like defects (clusters, dislocation loops). The theory gives an unified description of the thickness dependences of intensity scattering both, for thin and thick crystals, and predicts an effect of anomalous transmission of diffuse background in thick crystals. Experimental investigations on O‐ or Cu‐doped Si‐monocrystals are carried out which confirms the theory.

Unique Informativity of the Diffuse Dynamical Combined Diffractometry of Materials and Products of Nanotechnologies

“…Их теоретической основой является стати-стическая теория брэгговского и диффузного рассеяний излучений в кристаллах с дефектами: кинематическая (третье) и динамиче-ская (четвертое). Мировой приоритет в создании этих теорий, а также в проведении на их основе классификации дефектов в кри-сталлах по их влиянию на картину рассеяния принадлежит ИМФ НАН Украины (соответственно М. А. Кривоглазу [14] и В. Б. Мо-лодкину [15][16][17][18][19][20][21][22][23]). В настоящей работе проведен детальный сравни-тельный анализ чувствительности к дефектам и информативности диагностики на основе рассмотрений кинематической и динамиче-ской картин рассеяния.…”

“…В результате, вскрыта радикально более высокая информативность динамической картины рассеяния, свя-занная с различным влиянием не только дефектов, но и условий динамической дифракции на когерентную и диффузную состав-ляющие волновых полей в несовершенном кристалле. Следует от-метить, что отдельные следствия этой общей закономерности, при-рода которой раскрывается только в данной работе, были установ-лены в более ранних работах [24][25][26][27][28][29][30] и имеют самостоятельное зна-чение. Однако связь между ними, раскрывающая их природу, стала ясна только после анализа всей совокупности полученных на про-тяжении более чем 35 лет теоретических и экспериментальных ре-зультатов по динамическому рассеянию излучений кристалличе-скими системами, содержащими дефекты.…”

“…При динамической дифракции, как впервые показано в работах [15][16][17][18][19][20][21][22][23], благодаря процессам многократности рассеяния и брэггов-ская, и диффузная составляющие интенсивности формируются су-щественно обеими частями потенциала. Это приводит к тому, что динамическое брэгговское рассеяние определяется не средним, как у Кривоглаза, а перенормированным за счёт перерассеяния на флуктуационной части эффективным периодическим потенциалом (комплексным и нелокальным), который подобен известному из электронной теории идеальных кристаллов когерентному потен-циалу или оптическому из теории ядра.…”

“…Как показано в [15][16][17][18][19][20][21][22][23], многократное перерассеяние диффузных волн на периодической части потенциала преобразует их в блохов-ские волновые поля, для которых авторами [15][16][17][18][19][20][21][22][23] предсказаны и нашли многократное экспериментальное подтверждение [34][35][36][37] эффекты аномального прохождения и экстинкции диффузного рас-сеяния. Эти эффекты, обусловленные влиянием условий динамиче-ской дифракции, изменяют картину диффузного рассеяния суще-ственно сильнее, чем характеристики дефектов.…”

“…4. Распределения в плоскости дифракции интенсивности диффузного рассеяния кристалла [15][16][17][18][19][20][21][22][23], содержащего кластеры малого радиуса, при различных значениях его толщины: μ 0 t = 0,027 (а), 1,34 (б) и 5,36 (в). Пик (в) в 40 раз выше, чем пики (а) и более чем в два раза выше пика (б).…”