The refractive index, n, of SnS single crystals is measured from reflectance after being normalized to account for the pronounced rise below the energy gap. n is also measured by the interference method in the transparency region. An effective thickness smaller than the true one is introduced to account for the photon scattering by the layer structure of the material in this region. The effective thickness hypothesis gives a satisfactory explanation of the pronounced rise in reflectance for E < E,. The extinction coefficient, k, is calculated from the measured absorption coefficient. Measurements are performed at room temperature using plane polarized light with the plane of polarization parallel to the a-and b-crystallographic axes which lie in the plane of cleavage. The real and imaginary parts of the complex dielectric constant (er, ei) are calculated from the values of n and k. It is shown that SnS single crystals exhibit birefringence. Assuming that the SnS binding is partly ionic and partly covalent, the results of the optical constants are satisfactorly fitted to the model of a single effective oscillator.Der Brechungsindex n von SnS-Einkristallen wird aus dem Reflexionsvermogen nach Normierung des ausgepragten Anstiegs unterhalb der Energieliicke gemessen. n wird auch mittels lnterferenzmethode i m transparenten Bereich gemessen. Eine effektive Dicke, die geringer als die tatsachliche ist, wird eingefiihrt, urn die Photonenstreuung durch die Schichtstruktur des Materials in diesem Bereich zu beriicksichtigen. Die Hypothese der effektiven Dicke liefert eine befriedigende Erklarung des ausgepragten Anstiegs im Reflexionsvermogen fur E c E,. Der Extinktionskoeffizient k wird aus dem gemessenen Absorptionskoeffizienten berechnet. Messungen werden bei Zimmertemperatur mit ebenem polarisiertem Licht durchgefiihrt, wobei die Polarisationsebene parallel zur kristallografischen a-und b-Achse ist, die in der Spaltebene liegen. Der Real-und Imaginarteil der komplexen Dielektrizitatskonstante (e,,ei) wurden aus den Werten fur n und k berechnet. Es wird gezeigt, daO SnS-Einkristalle Doppelbrechung zeigen. Unter der Annahme, daD die SnS-Bindung teilweise ionisch und teilweise kovalent ist, lassen sich die optischen Konstanten befriedigend dem Modell eines isolierten effektiven Oszillators anpassen.